Smerigliatrice per wafer DISCO DFG8830 | Sistema di smerigliatura per semiconduttori SiC e zaffiro

Scopri la rettificatrice per wafer DISCO DFG8830 per l'assottigliamento di SiC, zaffiro e materiali duri e fragili. Scopri la tecnologia di rettifica a 4 assi, la lavorazione automatica, le applicazioni per semiconduttori composti e la precisione.

IL Macina wafer DISCO DFG8830 è un sistema di rettifica per semiconduttori completamente automatico, appositamente progettato per assottigliare materiali duri e fragili come il carburo di silicio (SiC), lo zaffiro e substrati di semiconduttori composti avanzati.

DISCO DFG8830 Wafer Grinder | SiC & Sapphire Semiconductor Grinding System

A differenza delle tradizionali macchine per la rettifica di wafer di silicio, la DFG8830 è specializzata in materiali ad alta durezza e bassa tolleranza alla frattura. Questi materiali stanno acquisendo sempre maggiore importanza nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili, nelle comunicazioni 5G, nell'elettronica di potenza e nelle applicazioni LED avanzate.

Grazie alla struttura del mandrino ad alta rigidità, alla mola diamantata di grande diametro e all'architettura di rettifica multiasse, la DFG8830 offre ai produttori una soluzione per l'assottigliamento dei wafer con danni minimi e alta qualità.

Cos'è la macchina per la macinazione di wafer DISCO DFG8830?

La DISCO DFG8830 è una macchina per la rettifica di wafer completamente automatica, progettata per materiali semiconduttori difficili da lavorare.

L'attrezzatura viene utilizzata principalmente per l'assottigliamento posteriore e la rettifica di precisione di:

  • wafer di SiC

  • substrati di zaffiro

  • Materiali semiconduttori composti

  • substrati ceramici duri

Rispetto alle rettificatrici per wafer di silicio standard, la DFG8830 offre una maggiore rigidità del mandrino e una maggiore capacità di lavorazione per gestire materiali con elevata resistenza alla rettifica.

Il sistema utilizza una configurazione con mandrino a 4 assi e tavola a 5 mandrini, che consente di selezionare diverse mole abrasive per lavorazioni orientate alla produttività o a basso impatto. :contentReference[oaicite:1]{index=1}

Perché la rettifica di materiali duri e fragili è importante

I materiali semiconduttori di terza generazione, come SiC e GaN, stanno diventando essenziali per i dispositivi di potenza di prossima generazione.

Tuttavia, questi materiali presentano notevoli difficoltà di produzione:

  • durezza estremamente elevata

  • Elevata fragilità

  • Bassa resistenza alla frattura

  • Requisiti di forza di rettifica più elevati

Le tradizionali apparecchiature per la rettifica dei wafer possono causare:

  • crepe superficiali

  • Danni al sottosuolo

  • Bassa resistenza del wafer

  • Riduzione della resa produttiva

Pertanto, per una produzione stabile sono necessari sistemi di macinazione dedicati come il DFG8830.

Tecnologie chiave DISCO DFG8830

Sistema di rettifica a 4 assi

La DFG8830 utilizza una struttura del mandrino a quattro assi.

Ciascun asse di rettifica può essere equipaggiato con mole diverse, consentendo ai produttori di ottimizzare i processi per:

  • Elevata velocità di rimozione del materiale

  • macinazione a basso danno

  • Rifinitura di pregio

  • Miglioramento della qualità della superficie

Questa configurazione flessibile migliora la capacità di lavorazione di vari materiali duri. :contentReference[oaicite:2]{index=2}

5 Configurazione del tavolo del mandrino

Il sistema adotta una struttura con 5 mandrini e 1 tavola girevole.

Questa architettura consente la movimentazione continua dei wafer e migliora l'efficienza produttiva rispetto ai sistemi di rettifica a tavola singola.

Mola diamantata di grande diametro

Il modello DFG8830 utilizza una mola diamantata da Φ300 mm.

Le mole abrasive di grande diametro garantiscono prestazioni di rettifica stabili per materiali ad alto carico come SiC e zaffiro.

Tecnologia di rettifica a basso danneggiamento

Nel caso di materiali fragili, ridurre i danni superficiali è fondamentale.

DFG8830 supporta processi di rettifica ottimizzati progettati per bilanciare:

  • Velocità di macinazione

  • Qualità della superficie

  • Resistenza del materiale

Materiali di lavorazione DISCO DFG8830

Rettifica di wafer di SiC

Il carburo di silicio è ampiamente utilizzato nei dispositivi a semiconduttore ad alta potenza grazie alla sua eccellente conduttività termica e alla sua elevata capacità di sopportare tensioni elevate.

DFG8830 aiuta a processare substrati di SiC per applicazioni quali:

  • moduli di alimentazione per veicoli elettrici

  • Sistemi di ricarica

  • Convertitori di energia rinnovabile

  • Elettronica di potenza industriale

Macinazione del substrato di zaffiro

Lo zaffiro è comunemente utilizzato nei LED e nelle applicazioni ottiche.

La DFG8830 offre la possibilità di assottigliare con precisione i substrati di zaffiro, dove la qualità della superficie è fondamentale.

Processi di lavorazione dei semiconduttori composti

L'apparecchiatura è in grado di lavorare diversi materiali semiconduttori duri che richiedono soluzioni di rettifica avanzate.

Diagramma di flusso del processo DISCO DFG8830

  1. Carico del materiale

  2. Posizionamento del wafer

  3. Trasferimento del tavolo Chuck

  4. Z1 rettifica

  5. Z2 rettifica

  6. Rettifica Z3

  7. rettifica di finitura Z4

  8. Pulizia e asciugatura

  9. Scarico

Diagramma di flusso del processo:

Caricamento → Allineamento → Rettifica multiasse → Pulizia → Asciugatura → Ritorno cassetta

Specifiche tecniche del DISCO DFG8830

ParametroDescrizione
Tipo di apparecchiaturaMacina wafer completamente automatico
ProduttoreDISCO Corporation
ModelloDFG8830
Dimensioni del wafer supportateΦ4 / 5 / 6 pollici
Dimensioni del substrato supportateΦ5 / 6 / 8 pollici
Configurazione del mandrino4 assi
Chuck Tables5 tavoli a mandrino + piattaforma girevole
Mola abrasivaMola diamantata da Φ300 mm
Uscita mandrino6,3 kW
velocità di rotazione1000 - 4000 giri/minuto
Materiali principaliSiC, zaffiro, materiali duri e fragili

Le specifiche si basano sulle informazioni di prodotto pubblicate da DISCO. :contentReference[oaicite:3]{index=3}

Applicazioni del DISCO DFG8830

Produzione di semiconduttori di potenza in SiC

I dispositivi SiC sono sempre più utilizzati nei veicoli elettrici e nei sistemi di alimentazione ad alta efficienza.

Il DFG8830 supporta i processi di assottigliamento dei wafer necessari per la produzione di substrati in SiC.

Processo di lavorazione LED in zaffiro

I substrati di zaffiro richiedono una rettifica precisa prima dei processi di produzione dei LED.

Produzione avanzata di semiconduttori composti

Il sistema supporta materiali semiconduttori emergenti che richiedono una lavorazione di alta precisione.

Ricerca e sviluppo

Il DFG8830 può essere utilizzato anche per lo sviluppo di materiali avanzati dove è richiesta flessibilità di processo.

DISCO DFG8830 vs DFG8541

AttrezzaturaApplicazione principale
DISCO DFG8541Rettifica di wafer di silicio e SiC da 200 mm
DISCO DFG8830Materiali duri e fragili come SiC e zaffiro

La DFG8541 è una smerigliatrice da 200 mm per uso generale, mentre la DFG8830 è ottimizzata per materiali ad alta durezza che richiedono una maggiore capacità di smerigliatura.

Considerazioni sulla manutenzione

  • Ispezione della mola diamantata

  • Monitoraggio delle vibrazioni del mandrino

  • Calibrazione di precisione del tavolo di bloccaggio

  • Ispezione del sistema di raffreddamento

  • Verifica dei parametri di rettifica

  • manutenzione del sistema di pulizia

Per le apparecchiature DFG8830 ricondizionate, i punti di valutazione importanti includono le condizioni del mandrino, la precisione di rettifica, la compatibilità della mola e la storia della lavorazione del materiale.

Riepilogo

IL Macina wafer DISCO DFG8830 è un sistema di rettifica specializzato per semiconduttori, progettato per SiC, zaffiro e altri materiali duri e fragili.

Grazie alla tecnologia di rettifica a 4 assi, all'architettura del piano di lavoro a 5 mandrini e all'elevata capacità di lavorazione ad alta rigidità, la DFG8830 offre una soluzione avanzata per la produzione di semiconduttori e materiali compositi di nuova generazione.

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