DISCO DFG8830 Wafer Grinder | SiC & Sapphire Halfgeleider Slijpsysteem

Ontdek de DISCO DFG8830 wafer-slijpmachine voor het dunner maken van SiC, saffier en harde, brosse materialen. Leer meer over 4-assige slijptechnologie, automatische processen, toepassingen voor samengestelde halfgeleiders en precisieslijpen.

De DISCO DFG8830 waferslijpmachine Dit is een volledig automatisch slijpsysteem voor halfgeleiders, speciaal ontworpen voor het dunner maken van harde en broze materialen zoals siliciumcarbide (SiC), saffier en geavanceerde samengestelde halfgeleidersubstraten.

DISCO DFG8830 Wafer Grinder | SiC & Sapphire Semiconductor Grinding System

In tegenstelling tot conventionele siliciumwafelslijpmachines is de DFG8830 specifiek ontworpen voor materialen met een hoge hardheid en een lage breuktolerantie. Deze materialen worden steeds belangrijker in elektrische voertuigen, hernieuwbare energie, 5G-communicatie, vermogenselektronica en geavanceerde LED-toepassingen.

Met een zeer stijve spindelconstructie, een diamantslijpschijf met grote diameter en een meerassige slijparchitectuur biedt de DFG8830 fabrikanten een oplossing voor het dunner maken van wafers met minimale schade en hoge kwaliteit.

Wat is de DISCO DFG8830 wafer grinder?

De DISCO DFG8830 is een volledig automatische wafer-slijpmachine, ontworpen voor moeilijk te verwerken halfgeleidermaterialen.

De apparatuur wordt hoofdzakelijk gebruikt voor het dunner maken van de achterzijde en het nauwkeurig slijpen van:

  • SiC-wafers

  • Saffiersubstraten

  • Samengestelde halfgeleidermaterialen

  • Harde keramische substraten

Vergeleken met standaard siliciumwafelslijpmachines biedt de DFG8830 een hogere spindelstijfheid en een groter verwerkingsvermogen, waardoor materialen met een hoge slijpweerstand kunnen worden verwerkt.

Het systeem maakt gebruik van een 4-assige spindel en een 5-spantafelconfiguratie, waardoor verschillende slijpschijven kunnen worden geselecteerd voor productiviteitsgerichte of schadearme bewerkingen. :contentReference[oaicite:1]{index=1}

Waarom het slijpen van harde, brosse materialen belangrijk is

Halfgeleidermaterialen van de derde generatie, zoals SiC en GaN, worden essentieel voor de volgende generatie energieapparaten.

Deze materialen brengen echter grote uitdagingen met zich mee voor de productie:

  • Extreem hoge hardheid

  • Hoge broosheid

  • Lage breukweerstand

  • Hogere slijpkrachtvereisten

Traditionele wafer-slijpmachines kunnen de volgende problemen veroorzaken:

  • Oppervlaktescheuren

  • Ondergrondse schade

  • Lage wafersterkte

  • Verminderde productieopbrengst

Daarom zijn speciale maalsystemen zoals de DFG8830 nodig voor een stabiele productie.

DISCO DFG8830 Sleuteltechnologieën

4-assig slijpsysteem

De DFG8830 maakt gebruik van een vierassige spindelstructuur.

Elke slijpas kan worden uitgerust met verschillende slijpschijven, waardoor fabrikanten processen kunnen optimaliseren voor:

  • Hoge materiaalafvoersnelheid

  • Slijpen met minimale schade

  • Fijne afwerking

  • Verbetering van de oppervlaktekwaliteit

Deze flexibele configuratie verbetert de verwerkingsmogelijkheden voor diverse harde materialen. :contentReference[oaicite:2]{index=2}

5-klauwplaattafelconfiguratie

Het systeem maakt gebruik van een constructie met 5 klauwplaten en 1 draaitafel.

Deze architectuur maakt continue waferverwerking mogelijk en verbetert de productie-efficiëntie in vergelijking met slijpsystemen met één tafel.

Diamantslijpschijf met grote diameter

De DFG8830 gebruikt een diamantslijpschijf met een diameter van 300 mm.

Slijpschijven met een grote diameter zorgen voor stabiele slijpprestaties bij materialen met een hoge belasting, zoals SiC en saffier.

Slijptechnologie met minimale schade

Bij broze materialen is het cruciaal om schade onder het oppervlak te beperken.

De DFG8830 ondersteunt geoptimaliseerde maalprocessen die zijn ontworpen om een ​​evenwicht te bereiken:

  • Slijpsnelheid

  • Oppervlaktekwaliteit

  • Materiaalsterkte

DISCO DFG8830 Verwerkingsmaterialen

SiC-wafelslijpen

Siliciumcarbide wordt veel gebruikt in krachtige halfgeleidercomponenten vanwege zijn uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge spanningscapaciteit.

De DFG8830 helpt bij de verwerking van SiC-substraten voor toepassingen zoals:

  • Elektrische voertuigvermogensmodules

  • Laadsystemen

  • Omzetters van hernieuwbare energie

  • Industriële vermogenselektronica

Saffiersubstraat slijpen

Saffier wordt veel gebruikt in LED- en optische toepassingen.

De DFG8830 biedt de mogelijkheid tot nauwkeurig dunner maken van saffiersubstraten, waarbij de oppervlaktekwaliteit cruciaal is.

Verwerking van samengestelde halfgeleiders

De apparatuur is geschikt voor diverse harde halfgeleidermaterialen die geavanceerde slijptechnieken vereisen.

Processtroomschema DISCO DFG8830

  1. Materiaalbelading

  2. Waferpositionering

  3. Overdracht van de klauwplaat naar de klauwplaat

  4. Z1-slijpen

  5. Z2-slijpen

  6. Z3-slijpen

  7. Z4 afwerkingsslijpen

  8. Reinigen en drogen

  9. Lossen

Processtroom:

Laden → Uitlijnen → Meerassig slijpen → Reinigen → Drogen → Cassette terugplaatsen

Technische specificaties van de DISCO DFG8830

ParameterBeschrijving
ApparaattypeVolautomatische wafelslijpmachine
FabrikantDISCO Corporation
ModelDFG8830
Ondersteunde wafergrootteΦ4 / 5 / 6 inch
Ondersteunde substraatgrootteΦ5 / 6 / 8 inch
Spindelconfiguratie4 assen
Chucktafels5 klauwplaattafels + draaitafel
SlijpschijfDiamantwiel met een diameter van 300 mm
Spindeluitgang6,3 kW
Rotatiesnelheid1000 - 4000 tpm
Belangrijkste materialenSiC, saffier, harde, brosse materialen

Specificaties zijn gebaseerd op door DISCO gepubliceerde productinformatie. :contentReference[oaicite:3]{index=3}

Toepassingen van DISCO DFG8830

Productie van SiC-vermogenshalfgeleiders

SiC-componenten worden steeds vaker gebruikt in elektrische voertuigen en energiezuinige systemen.

De DFG8830 ondersteunt de waferverdunningsprocessen die nodig zijn voor de productie van SiC-substraten.

LED-saffierbewerking

Saffieren substraten vereisen nauwkeurig slijpen voordat ze in de LED-productieprocessen kunnen worden verwerkt.

Geavanceerde productie van samengestelde halfgeleiders

Het systeem ondersteunt opkomende halfgeleidermaterialen die een zeer nauwkeurige verwerking vereisen.

Onderzoek en ontwikkeling

DFG8830 kan ook worden gebruikt voor de ontwikkeling van geavanceerde materialen waarbij flexibiliteit in de verwerking vereist is.

DISCO DFG8830 versus DFG8541

ApparatuurHoofdapplicatie
DISCO DFG8541Slijpen van 200 mm silicium- en SiC-wafers
DISCO DFG8830Harde, brosse materialen zoals SiC en saffier

De DFG8541 is een universele slijpmachine van 200 mm, terwijl de DFG8830 is geoptimaliseerd voor materialen met een hoge hardheid die een krachtigere slijpprestatie vereisen.

Onderhoudsaspecten

  • Inspectie van diamantslijpschijven

  • Spindeltrillingsbewaking

  • Nauwkeurigheidskalibratie van de klauwplaat

  • Inspectie van het koelsysteem

  • Controle van de slijpparameters

  • Onderhoud van het reinigingssysteem

Bij gereviseerde DFG8830-apparatuur zijn belangrijke beoordelingspunten onder andere de staat van de spindel, de slijpnauwkeurigheid, de compatibiliteit van de slijpschijf en de verwerkingsgeschiedenis van het materiaal.

Samenvatting

De DISCO DFG8830 waferslijpmachine Dit is een gespecialiseerd slijpsysteem voor halfgeleiders, ontworpen voor SiC, saffier en andere harde, breekbare materialen.

Met 4-assige slijptechnologie, een 5-spantafelconfiguratie en een hoge stijfheid biedt de DFG8830 een geavanceerde oplossing voor de productie van de volgende generatie halfgeleiders en composietmaterialen.

Een maatwerk nodig? Oplossing?

Ons engineeringteam staat klaar om u te helpen bij de integratie van de DB-800 in uw productielijn.

Neem contact op met de verkoopafdeling.
Expanded View