Máy mài wafer DISCO DFG8830 | Hệ thống mài bán dẫn SiC & Sapphire

Khám phá máy mài wafer DISCO DFG8830 để làm mỏng SiC, sapphire và các vật liệu cứng giòn. Tìm hiểu về công nghệ mài 4 trục, xử lý tự động, ứng dụng trong bán dẫn phức hợp và độ chính xác cao.

Cái Máy nghiền wafer DISCO DFG8830 Đây là hệ thống mài bán dẫn hoàn toàn tự động được thiết kế đặc biệt để làm mỏng các vật liệu cứng và giòn như cacbua silic (SiC), sapphire và các chất nền bán dẫn hợp chất tiên tiến.

DISCO DFG8830 Wafer Grinder | SiC & Sapphire Semiconductor Grinding System

Khác với các máy mài tấm silicon thông thường, máy DFG8830 tập trung vào các vật liệu có độ cứng cao và khả năng chịu nứt thấp. Những vật liệu này ngày càng trở nên quan trọng trong xe điện, năng lượng tái tạo, truyền thông 5G, điện tử công suất và các ứng dụng LED tiên tiến.

Với cấu trúc trục chính có độ cứng cao, bánh mài kim cương đường kính lớn và kiến ​​trúc mài đa trục, DFG8830 cung cấp cho các nhà sản xuất giải pháp làm mỏng wafer chất lượng cao với độ hư hại thấp.

Máy nghiền wafer DISCO DFG8830 là gì?

Máy mài wafer tự động hoàn toàn DISCO DFG8830 được thiết kế dành cho các vật liệu bán dẫn khó gia công.

Thiết bị này chủ yếu được sử dụng để làm mỏng mặt sau và mài chính xác các chi tiết sau:

  • Tấm wafer SiC

  • Chất nền sapphire

  • Vật liệu bán dẫn phức hợp

  • Chất nền gốm cứng

So với các máy mài tấm silicon tiêu chuẩn, DFG8830 cung cấp độ cứng trục chính cao hơn và khả năng xử lý vượt trội hơn để xử lý các vật liệu có độ ma sát mài cao.

Hệ thống sử dụng trục chính 4 trục và cấu hình bàn kẹp 5 chấu, cho phép lựa chọn các loại đá mài khác nhau để tập trung vào năng suất hoặc gia công ít gây hư hại. :contentReference[oaicite:1]{index=1}

Tại sao việc nghiền vật liệu cứng giòn lại quan trọng

Các vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như SiC và GaN đang trở nên thiết yếu cho các thiết bị điện thế hệ tiếp theo.

Tuy nhiên, những vật liệu này tạo ra những thách thức lớn trong sản xuất:

  • Độ cứng cực cao

  • Độ giòn cao

  • Khả năng chống gãy thấp

  • Yêu cầu lực mài cao hơn

Thiết bị nghiền tấm bán dẫn truyền thống có thể gây ra:

  • Các vết nứt trên bề mặt

  • Thiệt hại dưới lòng đất

  • Độ bền tấm wafer thấp

  • Năng suất sản xuất giảm

Do đó, các hệ thống nghiền chuyên dụng như DFG8830 là cần thiết để đảm bảo sản xuất ổn định.

Các công nghệ chính của DISCO DFG8830

Hệ thống mài 4 trục

DFG8830 sử dụng cấu trúc trục chính bốn trục.

Mỗi trục mài có thể được trang bị các loại đá mài khác nhau, cho phép các nhà sản xuất tối ưu hóa quy trình để:

  • Tốc độ loại bỏ vật liệu cao

  • Mài mài ít gây hư hại

  • Hoàn thiện tinh tế

  • Cải thiện chất lượng bề mặt

Cấu hình linh hoạt này cải thiện khả năng xử lý đối với nhiều loại vật liệu cứng khác nhau. :contentReference[oaicite:2]{index=2}

5 Cấu hình bàn kẹp

Hệ thống này sử dụng cấu trúc gồm 5 bàn kẹp và 1 bàn xoay.

Kiến trúc này cho phép xử lý tấm bán dẫn liên tục và cải thiện hiệu quả sản xuất so với các hệ thống mài một bàn.

Đá mài kim cương đường kính lớn

DFG8830 sử dụng đá mài kim cương Φ300mm.

Đá mài đường kính lớn mang lại hiệu suất mài ổn định cho các vật liệu chịu tải cao như SiC và sapphire.

Công nghệ mài ít gây hư hại

Đối với các vật liệu dễ vỡ, việc giảm thiểu hư hại dưới bề mặt là vô cùng quan trọng.

DFG8830 hỗ trợ các quy trình mài tối ưu được thiết kế để cân bằng:

  • Tốc độ mài

  • Chất lượng bề mặt

  • Độ bền vật liệu

Vật liệu xử lý DISCO DFG8830

Mài tấm wafer SiC

Silicon carbide được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị bán dẫn công suất cao nhờ khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời và khả năng chịu điện áp cao.

DFG8830 hỗ trợ xử lý chất nền SiC cho các ứng dụng bao gồm:

  • Mô-đun nguồn xe điện

  • Hệ thống sạc

  • Bộ chuyển đổi năng lượng tái tạo

  • Điện tử công suất công nghiệp

Mài chất nền sapphire

Sapphire thường được sử dụng trong các ứng dụng LED và quang học.

DFG8830 cung cấp khả năng làm mỏng chính xác cho các chất nền sapphire, nơi chất lượng bề mặt là yếu tố cực kỳ quan trọng.

Xử lý chất bán dẫn phức hợp

Thiết bị này có thể hỗ trợ nhiều loại vật liệu bán dẫn cứng khác nhau, đòi hỏi các giải pháp mài tiên tiến.

Quy trình dòng chảy DISCO DFG8830

  1. Tải vật liệu

  2. Định vị wafer

  3. Chuyển đổi bàn kẹp

  4. Mài Z1

  5. Mài Z2

  6. Mài Z3

  7. Mài hoàn thiện Z4

  8. Làm sạch và sấy khô

  9. Dỡ hàng

Quy trình hoạt động:

Nạp phôi → Căn chỉnh → Mài đa trục → Làm sạch → Sấy khô → Trả phôi về khay

Thông số kỹ thuật của DISCO DFG8830

Tham sốSự miêu tả
Loại thiết bịMáy xay bánh wafer hoàn toàn tự động
Nhà sản xuấtTập đoàn DISCO
Người mẫuDFG8830
Kích thước wafer được hỗ trợΦ4 / 5 / 6 inch
Kích thước chất nền được hỗ trợĐường kính Φ5 / 6 / 8 inch
Cấu hình trục chính4 trục
Bàn Chuck5 bàn kẹp + bàn xoay
Đá màibánh mài kim cương Φ300mm
Đầu ra trục chính6,3 kW
Tốc độ quay1000 - 4000 vòng/phút
Vật liệu chínhSiC, sapphire, vật liệu cứng giòn

Thông số kỹ thuật dựa trên thông tin sản phẩm do DISCO công bố. :contentReference[oaicite:3]{index=3}

Ứng dụng của DISCO DFG8830

Sản xuất chất bán dẫn công suất SiC

Các thiết bị SiC ngày càng được sử dụng rộng rãi trong xe điện và hệ thống điện hiệu suất cao.

DFG8830 hỗ trợ các quy trình làm mỏng tấm bán dẫn cần thiết cho việc sản xuất chất nền SiC.

Xử lý Sapphire LED

Các chất nền sapphire cần được mài chính xác trước khi tiến hành các quy trình sản xuất LED.

Sản xuất chất bán dẫn hợp chất tiên tiến

Hệ thống này hỗ trợ các vật liệu bán dẫn mới nổi đòi hỏi quy trình gia công chính xác cao.

Nghiên cứu và Phát triển

DFG8830 cũng có thể được sử dụng để phát triển vật liệu tiên tiến trong những trường hợp cần sự linh hoạt trong quá trình gia công.

So sánh DISCO DFG8830 và DFG8541

Thiết bịỨng dụng chính
Đĩa DFG8541Mài tấm wafer silicon và SiC 200mm
Đĩa DFG8830Các vật liệu cứng và giòn như SiC và sapphire

DFG8541 là máy mài đa năng 200mm, trong khi DFG8830 được tối ưu hóa cho các vật liệu có độ cứng cao, đòi hỏi khả năng mài mạnh mẽ hơn.

Các yếu tố cần xem xét về bảo trì

  • Kiểm tra đá mài kim cương

  • Giám sát rung động trục chính

  • Hiệu chỉnh độ chính xác bàn kẹp

  • Kiểm tra hệ thống làm mát

  • Xác minh thông số mài

  • Bảo trì hệ thống làm sạch

Đối với thiết bị DFG8830 đã được tân trang, các điểm đánh giá quan trọng bao gồm tình trạng trục chính, độ chính xác mài, khả năng tương thích của đá mài và lịch sử gia công vật liệu.

Bản tóm tắt

Cái Máy nghiền wafer DISCO DFG8830 Đây là hệ thống mài bán dẫn chuyên dụng được thiết kế cho SiC, sapphire và các vật liệu cứng giòn khác.

Với công nghệ mài 4 trục, cấu trúc bàn kẹp 5 chấu và khả năng gia công với độ cứng vững cao, DFG8830 cung cấp giải pháp tiên tiến cho việc sản xuất chất bán dẫn và vật liệu hỗn hợp thế hệ tiếp theo.

Cần một sản phẩm tùy chỉnh Giải pháp?

Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ bạn tích hợp DB-800 vào dây chuyền sản xuất của mình.

Liên hệ bộ phận bán hàng
Expanded View