PVA TePla / Technics 660 ialah sistem plasma gelombang mikro tekanan rendah yang dikonfigurasikan untuk pengetsaan pengasingan tepi dalam pengeluaran sel solar. Proses ini membuang lapisan dop konduktif di sekeliling tepi sel untuk mengasingkan permukaan hadapan dan belakang secara elektrik dan mengurangkan kebocoran arus yang tidak diingini.
Mesin yang tersedia ini dikeluarkan pada tahun 2008 dan disenaraikan dengan hanya 16 jam operasi. Konfigurasi yang dilaporkan termasuk peringkat berdiameter 350 mm, tiga input gas proses terkawal MFC, input gas bolong dan pam vakum kering bebas minyak EBARA. Keadaan operasi dan kelengkapan semasa masih perlu disahkan sebelum pembelian.
Spesifikasi Utama PVA TePla Technics 660
| Pengilang | PVA TePla / Teknik |
|---|---|
| Model | 660 |
| Jenis Peralatan | Sistem Pengukir Plasma Gelombang Mikro Tekanan Rendah |
| Proses yang Dikonfigurasikan | Pengukiran Tepi Sel Suria |
| Tahun Peralatan | 2008, mengikut senarai peralatan yang ada |
| Waktu Operasi yang Direkodkan | 16 jam, mengikut senarai peralatan yang tersedia |
| Frekuensi Plasma | 2.45 GHz |
| Kuasa Ketuhar Gelombang Mikro | 0–1,000 W |
| Bahan Kebuk Proses | Aluminium |
| Isipadu Ruang | 64 liter |
| Dimensi Dalaman Ruang | 400 × 400 × 400 mm |
| Input Gas Proses Terpasang | Tiga input gas terkawal MFC, mengikut senarai peralatan |
| Pentas | Pilihan pentas berdiameter 350 mm, mengikut senarai peralatan |
| Sambungan Vakum | DN 63 ISO K |
| Tekanan Asas | Lebih kurang 2 × 10-2mbar |
| Tekanan Proses | Lebih kurang 0.2–2 mbar |
| Masa Pemindahan | Lebih kurang 1 minit |
| Pam Vakum Termasuk | Pam kering bebas minyak EBARA, mengikut senarai peralatan |
| Bekalan Elektrik | 230 V, fasa tunggal, 16 A, 50/60 Hz |
| Dimensi Anggaran | 1,050 × 1,720 × 770 mm |
| Berat Anggaran | 180 kg, tidak termasuk pam vakum |
| Keadaan | Digunakan peralatan semikonduktor |
| Ketersediaan | Tertakluk kepada stok semasa, pemeriksaan dan pengesahan konfigurasi |
Ciri-ciri Peralatan Utama
Penjanaan plasma gelombang mikro tekanan rendah 2.45 GHz
Output ketuhar gelombang mikro boleh laras sehingga 1,000 W
Ruang proses aluminium 64 L tanpa elektrod RF dalaman
Dikonfigurasikan untuk pengetsaan tepi sel suria
Pilihan peringkat substrat berdiameter 350 mm
Tiga input gas proses terkawal MFC
Pam vakum kering bebas minyak EBARA disertakan dalam konfigurasi yang disenaraikan
Pemprosesan manual dan automatik dengan resipi yang disimpan
Pengukiran Tepi Sel Suria
Semasa penghasilan sel solar, lapisan yang didop boleh memanjang di sekitar tepi wafer dan mewujudkan sambungan elektrik antara permukaan hadapan dan belakang. Pengasingan tepi plasma membuang kawasan tepi konduktif ini supaya simpang PN kekal terpisah secara elektrik.
Dalam proses plasma berasaskan tindanan yang tipikal, hanya tepi sel yang terdedah diukir manakala wafer bersebelahan melindungi permukaan hadapan dan belakang utama. Kimia gas sebenar, susunan pemuatan, hasil pengukiran dan dimensi substrat yang disokong bergantung pada peringkat yang dipasang, sistem gas dan resipi proses yang disahkan.
Keupayaan Pemprosesan Plasma Tambahan
Platform 660 juga dibangunkan untuk pembersihan plasma tekanan rendah dan pengaktifan permukaan pakej semikonduktor sebelum pemasangan acuan, ikatan dawai dan enkapsulasi. Walau bagaimanapun, mesin individu ini disenaraikan secara khusus dengan konfigurasi pengetsaan pengasingan tepi.
Penggunaan untuk pembersihan bungkusan, pemprosesan fotoresis atau aplikasi plasma lain hanya perlu dipertimbangkan selepas mengesahkan keserasian ruang, bahan gas, pengedap, konfigurasi pam, pemegang substrat dan keperluan pembangunan proses.
Konfigurasi dan Pemeriksaan Peralatan Terpakai
Spesifikasi platform yang diterbitkan dan konfigurasi yang dipasang bagi setiap sistem yang digunakan tidak semestinya sama. Mesin ini dilaporkan merangkumi tiga input gas MFC, sambungan gas bolong, peringkat 350 mm dan pam kering EBARA, tetapi setiap komponen harus disahkan daripada gambar semasa dan pemeriksaan.
Sebelum sebut harga, pelanggan perlu mengesahkan nombor siri, waktu operasi yang direkodkan, penjana gelombang mikro, keadaan ruang, model MFC, keserasian gas, pergerakan peringkat, model pam vakum, sistem kawalan, saling kunci keselamatan, resipi yang tersedia dan status penghidupan semasa.
Minta Maklumat PVA TePla 660
Hubungi pasukan kami untuk menyemak ketersediaan semasa PVA TePla / Technics 660 terpakai. Sila berikan jenis substrat, dimensi wafer atau sel, proses pengasingan tepi sasaran, gas yang diperlukan, negara destinasi dan jadual pemasangan yang dijangkakan.
Hubungi kami untuk mendapatkan gambar peralatan semasa, nombor siri, rekod waktu operasi, konfigurasi yang dipasang, status pemeriksaan dan sebut harga.
Soalan Lazim
Apakah kegunaan PVA TePla Technics 660?
Mesin khusus ini dikonfigurasikan untuk pengetsaan tepi plasma gelombang mikro dalam pengeluaran sel solar. Platform 660 juga boleh menyokong pembersihan plasma dan pengaktifan permukaan apabila dilengkapi dan disahkan untuk proses tersebut.
Apakah yang boleh ditanggalkan oleh ukiran pengasingan tepi?
Ia menanggalkan lapisan terdop konduktif di sekeliling tepi sel suria supaya permukaan hadapan dan belakang tidak kekal bersambung secara elektrik di sekeliling perimeter wafer.
Adakah mesin ini termasuk pam vakum?
Senarai peralatan yang tersedia menyatakan bahawa pam kering bebas minyak EBARA disertakan. Model pam, keadaan operasi dan komponen sambungan yang tepat hendaklah disahkan semasa pemeriksaan.
Berapa banyak input gas proses yang dipasang?
Mesin yang disenaraikan mempunyai tiga input gas proses terkawal MFC dan input gas bolong yang berasingan. Julat MFC dan gas yang serasi perlu disahkan daripada komponen yang dipasang.
Adakah PVA TePla 660 ini telah banyak digunakan?
Senarai peralatan hanya melaporkan 16 jam operasi. Nilai ini harus disemak terhadap pengawal mesin, rekod penyelenggaraan atau bukti jam operasi lain yang tersedia sebelum ia dianggap sebagai disahkan.
