Der KAIJO FB-i28 ist ein vollautomatisches, hochpräzises Drahtbondsystem, das für fortschrittliche Halbleitergehäuseknoten entwickelt wurde, die eine feine Verbindungstechnik, gestapelte Chipführung und eine spannungsarme thermosonische Bondsteuerung erfordern.
Es wird in OSAT- und IDM-Umgebungen weit verbreitet eingesetzt, wo die Verwendung von Kupferdraht, die Verkleinerung des Pad-Pitchs auf unter 40 μm und die mehrstufige Schleifensteuerung entscheidend für die Stabilität der Ausbeute und die Zuverlässigkeit des Gehäuses sind.
1. Systemübersicht und Prozesspositionierung
Der FB-i28 dient als Plattform zur Herstellung elektrischer Backend-Verbindungen nach dem Chip-Attach. Er stellt erste und zweite Bondverbindungen mittels thermosonischer Energieübertragung in Kombination mit präziser Kraftmodulation her.
Das System ist für Anwendungen mit feiner Rasterteilung optimiert, die eine stabile intermetallische Verbindung (IMC) erfordern und gleichzeitig die mechanische Belastung von dielektrischen Strukturen mit niedriger Dielektrizitätskonstante minimieren.
2. Kernprozessmodule
Thermosonische Bondsteuerung: Kombiniert Ultraschallenergie und thermische Aktivierung, um eine stabile Kugel- und Stichverbindungsbildung bei Au-, Cu- und PCC-Drahtsystemen zu gewährleisten.
Kraftregelung im geschlossenen Regelkreis: Die Echtzeit-Rückkopplungssteuerung des Bondkopfes minimiert das Risiko von Kraterbildung auf den Pads und sorgt für ein gleichmäßiges Bondverformungsprofil.
EFO-System (Elektronische Flammenabschaltung): Gewährleistet eine stabile Freiluftkugelbildung (FAB) bei Kupfer- und Golddrahtprozessen mit Oxidationskompensationskontrolle.
Hochauflösendes PRS-Vision-System: Das Mustererkennungssystem kompensiert Substratverschiebungen, Verformungen und Fehlausrichtungen der Referenzmarken während des Hochgeschwindigkeitsbetriebs.
3. Schleifenarchitektur und mechanische Steuerung
Der FB-i28 unterstützt fortschrittliche Drahtschleifengeometrien, die für gestapelte Chips und Multi-Chip-Module (MCM) erforderlich sind.
M-förmige Schleifenprofile für mehrstufige Durchfahrten
Umgekehrte Schleifenführung für dichte SiP-Integration
Rechteckige Schleifenregelung für hochdichte Drahtpakete
Die dynamische Schleifenabstimmung gewährleistet eine stabile Schleifenhöhe, reduziert die Drahtverdrehung beim Formgebungsprozess und verbessert die mechanische Robustheit in Umgebungen mit hoher Packungsdichte.
4. Anwendungsbereiche
Fortschrittliche Speicher- und Logikverpackung
DRAM-/NAND-Hochdichte-Gehäuse
Anwendungsprozessoren (AP)
System-in-Package (SiP) und Multi-Chip-Module (MCM)
Gestapelte Chiparchitekturen
3D-Speicherstapelverbindungen
heterogene Integration von Sensoren und Logik
Leistungshalbleiterbauelemente
Leistungs-MOSFET- und PMIC-Gehäuse
Hochstrom-Kupferdraht-Verbindungssysteme
5. Technische Spezifikationen (Engineering-Bereich)
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Systemtyp | Vollautomatischer Hochpräzisions-Drahtbonder |
| Drahtmaterialien | Au/Cu/PCC |
| Bindungsgenauigkeit | ±1,5 μm bis ±2,5 μm @ 3σ |
| Mindestabstand der Pads | Sub-40 μm-Klasse-Fähigkeit |
| Drahtdurchmesserbereich | 15 μm – 50 μm |
| Substratarten | Leadframe / organisches Laminat / Streifenträger |
| Durchsatz | Optimiert für die Produktion von hochertragreichen, fortschrittlichen Verpackungen |
6. Prozessflussintegration
Wafer-Vereinzelung → Chipmontage → Drahtbonden (FB-i28) → Verkapselung (Molding) → Vereinzelung → Endprüfung
7. Technische Bewertung
Zuverlässigkeitsmanagement von Low-k-Dielektrika
Das System reduziert das Risiko von Pad-Kratern durch kontrollierte Ultraschallenergiezufuhr und adaptive Bindungskraftmodulation und gewährleistet so die mechanische Integrität auf fortschrittlichen Knoten.
Stacked-Die-Routing-Fähigkeit
Die mehrstufige Schleifensteuerung ermöglicht Freiraum über den Werkzeugstapeln bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer stabilen Schleifengeometrie und Minimierung der Drahtüberschwingung während des Spritzgießens.
Anpassung des Kupferdrahtprozesses
Optimierte EFO- und Formiergaskompatibilität unterstützen die Kontrolle der Kupferoxidation und die stabile Bildung von Freiluftkugeln.
8. Zusammenfassung
Die KAIJO FB-i28 bietet eine ausgewogene Lösung für fortschrittliches Drahtbonden in Umgebungen mit feiner Rasterteilung, gestapelten Chips und Kupferdraht-Technologie. Sie kombiniert präzise Kraftregelung, adaptive Schleifenformung und Hochgeschwindigkeits-Bildverarbeitung zur Unterstützung der Anforderungen der Halbleitergehäuse der nächsten Generation.
9. Technische Spezifikation oder Angebot anfordern
Datenblatt zur Ausrüstung
Bewertung des Kupfer-/Golddrahtprozesses
Konfiguration der Schleifenstrategie
Unterstützung der Produktionslinienintegration
Wenden Sie sich für eine Bewertung oder Angebotserstellung an unser Ingenieurteam.
