這 凱城 FB-i28 是一款全自動高精度引線鍵合系統，專為需要細間距互連形成、堆疊晶片佈線和低應力熱超音波鍵合控制的先進半導體封裝節點而設計。
它廣泛應用於 OSAT 和 IDM 環境中，在這些環境中，銅線的使用、小於 40 μm 的焊盤間距縮放以及多層環路控制對於良率穩定性和封裝可靠性至關重要。
1. 系統概述及流程定位
FB-i28 在晶片貼裝後作為後端電互連形成平台運作。它利用熱聲能量傳遞結合精確的力調製技術，建立第一道和第二道鍵結連接。
該系統針對需要穩定形成金屬間化合物 (IMC) 的細間距應用進行了最佳化，同時最大限度地減少了低 k 介電結構的機械應力。
2. 核心流程模組
熱超音波鍵合控制： 結合超音波能量和熱活化，確保在 Au、Cu 和 PCC 線材系統中形成穩定的球焊和縫焊。
閉環力調節： 即時鍵合頭回授控制可最大限度地降低焊盤凹陷風險，並保持一致的鍵結變形輪廓。
電子熄火系統（EFO）： 確保銅線和金線製程中自由空氣球（FAB）的穩定形成，並具有氧化補償控制。
高解析度PRS視覺系統： 模式識別系統可補償高速運轉期間的基板偏移、翹曲和基準點錯位。
3. 循環架構與機械控制
FB-i28 支援堆疊晶片和多晶片模組 (MCM) 封裝所需的高級導線環幾何形狀。
用於多層間隙的 M 形環狀輪廓
用於高密度SiP整合的反向環路佈線
用於高線密度封裝的平方環路控制
動態環路調整可確保穩定的環路高度，減少成型過程中的線材擺動，並提高高密度封裝環境下的機械強度。
4. 應用領域
先進的記憶體和邏輯封裝
DRAM/NAND高密度封裝
應用處理器（AP）
系統級封裝 (SiP) 和多晶片模組 (MCM)
堆疊式晶片架構
3D記憶體堆疊互連
感測器+邏輯異構集成
功率半導體裝置
功率 MOSFET 和 PMIC 封裝
大電流銅線互連繫統
5. 技術規格（工程範圍）
| 範圍 | 規格 |
|---|---|
| 系統類型 | 全自動高精度焊接線機 |
| 線材 | Au/Cu/PCC |
| 黏合精度 | ±1.5 μm 至 ±2.5 μm @ 3σ |
| 最小墊片間距 | 亞40微米級能力 |
| 線徑範圍 | 15微米 – 50微米 |
| 基質類型 | 引線框架/有機層壓板/條狀載體 |
| 吞吐量 | 針對高產量先進封裝生產進行了最佳化 |
6. 流程集成
晶圓切割 → 晶片貼裝 → 引線鍵合 (FB-i28) → 封裝 (模塑) → 單片化 → 最終測試
7. 工程評估
低介電常數材料可靠性管理
該系統透過控制超音波能量的輸送和自適應鍵合力的調節，降低了焊盤凹陷的風險，從而確保了先進節點的機械完整性。
堆疊晶片佈線能力
多層迴路控制可在模具堆疊上方實現間隙，同時保持穩定的迴路幾何形狀，並最大限度地減少成型過程中的線材擺動。
銅線工藝適應性
優化的 EFO 和成型氣體相容性支持銅氧化控制和穩定的自由空氣球形成。
8. 總結
KAIJO FB-i28 為小間距、堆疊晶片和銅線應用環境下的先進引線鍵合提供了均衡的解決方案。它結合了精確的力控制、自適應環路成形和高速視覺對準，以滿足下一代半導體封裝的要求。
9. 索取技術規格或報價
設備規格表
銅/金線工藝評估
循環策略配置
生產線整合支持
請聯絡工程團隊以取得評估或報價支援。
