Он Лазерный станок для нарезки ASMPT ALSI LASER1205 Это усовершенствованная система разделения полупроводниковых пластин, разработанная для высокоточной лазерной резки и нарезки канавок на пластинах.
Разработанная компанией ASMPT ALSI платформа LASER1205 использует многолучевую лазерную технологию для высокоскоростной обработки пластин с превосходным качеством кромок, низким тепловым воздействием и повышенной прочностью кристалла.
В отличие от традиционных систем резки с помощью лезвий, лазерная разделка пластин снижает механическое напряжение и позволяет производителям полупроводников обрабатывать сложные материалы, такие как SiC, GaAs, Ge, тонкие кремниевые пластины и современные упаковочные материалы.
Платформа LASER1205 разработана для промышленного производства полупроводников и поддерживает автоматизированную обработку пластин, поточный контроль качества и различные конфигурации лазеров для удовлетворения различных производственных требований.
Что представляет собой лазерный станок для нарезки ASMPT ALSI LASER1205?
Система ASMPT ALSI LASER1205 представляет собой полностью автоматизированную систему лазерной обработки полупроводниковых материалов, используемую для резки и нарезания канавок на кремниевых пластинах.
В этом оборудовании используется сфокусированная лазерная энергия вместо механических режущих лезвий. Это позволяет производителям разделять полупроводниковые пластины, минимизируя механическое напряжение и уменьшая повреждение кромок.
Основные области применения включают:
Нарезка полупроводниковых пластин
Лазерная нарезка канавок
Разделение кремниевых пластин
Резка пластин GaAs
Обработка тонких пластин
Передовые технологии упаковки полупроводников
Компания ASMPT ALSI разработала семейство LASER1205 как платформу для крупномасштабного производства, предназначенную для процессов разделения и нарезания канавок на пластинах. Система доступна в нескольких конфигурациях, включая Dicing UV Plus, Dicing IR, Grooving UV и Grooving UV-USP. :contentReference[oaicite:0]{index=0}
Почему производители полупроводников используют технологию лазерной резки?
Традиционная резка полупроводниковых пластин в основном основана на использовании алмазных лезвий. Хотя резка лезвиями по-прежнему широко применяется, современные полупроводниковые материалы создают новые проблемы из-за своей твердости, хрупкости и чувствительности к механическим воздействиям.
Лазерная резка предоставляет ряд преимуществ:
Более низкое механическое напряжение
Уменьшение сколов и трещин
Более узкая ширина резки
Более высокая прочность штампа
Подходит для хрупких полупроводниковых материалов.
Это делает лазерную обработку все более важной для полупроводниковых приложений следующего поколения, включая силовые устройства для электромобилей, радиочастотные компоненты, MEMS и передовые технологии упаковки.
Многолучевая лазерная технология ASMPT ALSI LASER1205
Многолучевая лазерная обработка
Ключевой технологией LASER1205 является технология многолучевой лазерной обработки от компании ASMPT ALSI.
Система использует дифракционный оптический элемент (ДОЭ) для разделения лазерного луча на несколько более мелких лучей. Это позволяет обрабатывать несколько участков пластины одновременно.
Многобалочная конструкция повышает производительность, сохраняя при этом превосходное качество резки.
Зона низкого теплового воздействия (ЗТВ)
Выделение тепла является критически важной проблемой в процессе лазерной обработки полупроводников.
Чрезмерное тепловое воздействие может повлиять на характеристики полупроводниковых устройств и снизить надежность кристалла.
LASER1205 разработан для минимизации зоны термического воздействия (ЗТВ), что обеспечивает высококачественное разделение пластин для чувствительных полупроводниковых устройств.
В стандарте ASMPT указаны типичные значения характеристик LASER1205, включая точность позиционирования ниже 1,5 мкм, ширину резки ниже 12 мкм и низкую зону термического воздействия в зависимости от конфигурации процесса. :contentReference[oaicite:1]{index=1}
Конфигурации станка ASMPT LASER1205
LASER1205 Dicing UV Plus
Конфигурация UV Plus предназначена для нарезки тонких кремниевых пластин и применения в областях с высокой прочностью кристаллов.
Типичные области применения включают:
силовые полупроводниковые приборы
МОП-транзистор
ИГБТ
Обработка тонких пластин
Передовые технологии производства интегральных схем
LASER1205 Нарезка ИК-излучением
Конфигурация ИК-лазера оптимизирована для полупроводниковых материалов, не содержащих кремний.
Обычно его используют для:
Нарезка пластин GaAs
обработка германиевых пластин
ВЧ полупроводниковые устройства
ИК-система использует лазер с длиной волны 1064 нм и обеспечивает высококачественную обработку сложных полупроводниковых материалов. :contentReference[oaicite:2]{index=2}
LASER1205 Нарезка канавок УФ
Конфигурация Grooving UV предназначена для создания точных канавок перед процессами резки лезвием или плазменной резкой.
Обычно его используют для:
Материалы с низкой диэлектрической проницаемостью
Полиимидные слои
Подготовка пластин памяти
LASER1205 Нарезка канавок UV-USP
В конфигурации UV-USP используется технология сверхкоротких импульсных лазеров для выполнения сложных задач по нарезанию канавок.
Он предназначен для применений, требующих крайне низкого теплового воздействия и точного удаления материала.
Основные характеристики ASMPT LASER1205
Высокоточная обработка кремниевых пластин
Система LASER1205 разработана для условий производства полупроводников, где точность позиционирования и стабильность процесса имеют решающее значение.
Система обеспечивает высокоточное управление движением для поддержания стабильного качества лазерной обработки во время операций разделения пластин и нарезания канавок.
Высокая точность позиционирования помогает производителям добиваться стабильного качества пропила и повышать общий выход годных пластин.
Система визуального контроля на линии
LASER1205 объединяет в себе передовую систему визуального контроля для выравнивания пластин и мониторинга технологического процесса.
Система машинного зрения помогает проверять положение пластины, контролировать условия обработки и повышать повторяемость производственных процессов.
Контроль в режиме реального времени снижает риск технологических отклонений при крупномасштабном производстве полупроводников.
Автоматизированная обработка кремниевых пластин
Оборудование обеспечивает автоматизированную загрузку, выравнивание, лазерную обработку и выгрузку пластин.
Автоматизированный рабочий процесс сокращает вмешательство оператора и повышает эффективность производства.
Гибкие варианты выбора источника лазерного излучения
Для работы с различными полупроводниковыми материалами требуются разные характеристики лазера.
Платформа LASER1205 поддерживает различные конфигурации лазеров, включая:
УФ-лазерная обработка
ИК-лазерная обработка
Обработка сверхкороткими импульсами лазера
Такая гибкость позволяет производителям оптимизировать процессы в зависимости от материала пластины и структуры устройства.
Технические характеристики ASMPT LASER1205
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Тип оборудования | Полностью автоматизированная полупроводниковая лазерная система для резки и нарезки канавок. |
| Производитель | АСМПТ АЛСИ |
| Модель | LASER1205 |
| Технология обработки | Многолучевая лазерная резка / лазерная нарезка канавок |
| Конфигурация лазера | УФ / ИК / УФ-УФФ |
| Точность позиционирования | Менее 1,5 мкм |
| Типичная ширина пропила | Менее 12 мкм |
| Зона теплового воздействия | Лазерная обработка с низким тепловым воздействием |
| Вспомогательные материалы | Кремний, SiC, GaAs, Ge, DAF, материалы для пресс-форм |
| Основные области применения | Нарезка пластин, нарезание канавок на пластинах, разделение полупроводниковых элементов. |
Точная конфигурация зависит от типа лазера, требований к материалам и производственного процесса заказчика.
Области применения лазерного станка для нарезки ASMPT LASER1205
Обработка силовых полупроводников на основе карбида кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC) стал ключевым материалом для силовых полупроводниковых приборов следующего поколения, используемых в электромобилях, системах зарядки и возобновляемых источниках энергии.
Из-за своей высокой твердости и хрупкости карбид кремния требует применения передовых технологий разделения кремниевых пластин.
LASER1205 представляет собой решение для лазерной обработки кремниево-карбидных пластин с минимальным повреждением материала при их резке и нарезании канавок.
Производство ВЧ-полупроводников на основе GaAs
Материалы на основе GaAs широко используются в радиочастотных коммуникационных устройствах, беспроводных системах и высокочастотных полупроводниковых приложениях.
Лазерная резка помогает снизить механическое напряжение и улучшить качество кристаллов в процессе разделения пластин из арсенида галлия.
Передовые технологии упаковки
Современные технологии упаковки полупроводников требуют более тонких пластин и меньших размеров кристаллов.
LASER1205 поддерживает передовые процессы упаковки, обеспечивая узкую ширину резки и возможность точной обработки пластин.
Обработка тонких пластин
Тонкие кремниевые пластины все чаще используются в современных полупроводниковых устройствах.
Механическая резка может вызывать напряжение и трещины, в то время как лазерная обработка представляет собой альтернативу с меньшим усилием.
MEMS и сенсорные устройства
В устройствах MEMS часто встречаются хрупкие структуры, требующие обработки с минимальным загрязнением и низким уровнем механического напряжения.
Технология лазерной резки предоставляет преимущества для таких чувствительных применений.
ASMPT LASER1205 против DISCO DFL7341
| Сравнение | ASMPT LASER1205 | DISCO DFL7341 |
|---|---|---|
| Технологии | Многолучевая лазерная резка/нарезка канавок | Технология скрытой нарезки |
| Главное преимущество | Высокая производительность и гибкие возможности лазерной обработки | Разделение пластин с низким уровнем повреждений |
| Основные материалы | Si, SiC, GaAs, Ge, передовые упаковочные материалы | Сапфир, карбид кремния, МЭМС, композитные материалы |
| Метод обработки | Лазерная абляция / лазерная нарезка канавок | Внутренний слой лазерной модификации |
| Типичные области применения | Силовые полупроводники, радиочастотная техника, передовая упаковка | Светодиод, MEMS, составной полупроводник |
И ASMPT LASER1205, и DISCO DFL7341 относятся к передовому оборудованию для лазерной обработки полупроводников. Однако их технические решения различаются.
LASER1205 ориентирован на повышение производительности гибкой лазерной резки и нарезания канавок, а DFL7341 — на технологию Stealth Dicing для разделения пластин с минимальным повреждением.
Рекомендации по техническому обслуживанию ASMPT LASER1205
Хотя системы лазерной резки снижают механический износ по сравнению с оборудованием для резки лезвиями, для поддержания стабильности процесса все же требуется регулярное техническое обслуживание.
проверка характеристик лазерного источника
Очистка оптических линз и проверка выравнивания.
калибровка системы машинного зрения
Проверка точности стола патрона
Калибровка оси движения
Техническое обслуживание системы охлаждения
Резервное копирование программного обеспечения и рецептов.
При покупке восстановленного оборудования ASMPT LASER1205 покупателям следует оценить следующее:
часы работы лазерного источника
Состояние оптической системы
записи о точности обработки
Предыдущие производственные приложения
История технического обслуживания
Руководство по оценке обновленного оборудования ASMPT LASER1205
На рынке подержанного полупроводникового оборудования растет спрос на системы лазерной резки из-за высокой стоимости их приобретения.
Перед приобретением восстановленной системы LASER1205 инженерам следует подтвердить следующие моменты:
| Пункт проверки | Важная проверка |
|---|---|
| Лазерная система | Стабильность выходного сигнала лазера и срок его службы |
| Оптическая система | Состояние линз и точность выравнивания |
| Система движения | точность по осям X/Y/Z |
| Система машинного зрения | Калибровка камеры и производительность распознавания |
| Данные процесса | Предыдущий материал для изготовления пластин и история производства |
| Программное обеспечение | Доступность рецептов и совместимость с системой. |
Заключение
Он Лазерный станок для нарезки ASMPT ALSI LASER1205 Это передовая платформа для обработки полупроводниковых пластин, разработанная с учетом современных требований полупроводникового производства.
Благодаря многолучевой лазерной технологии, гибким конфигурациям УФ и ИК-излучения, автоматической обработке пластин и поддержке сложных материалов, таких как SiC и GaAs, LASER1205 представляет собой надежное решение для резки пластин и лазерной нарезки канавок.
Поскольку полупроводниковые устройства продолжают развиваться в направлении повышения удельной мощности, уменьшения размеров корпусов и использования передовых материалов, технология лазерной обработки кремниевых пластин будет играть все более важную роль в производстве полупроводников.
Соответствующее полупроводниковое оборудование
Система лазерной нарезки DISCO DFL7341
Автоматическая пила для распиловки древесины DISCO DFD6341
Станок для нарезки вафель DISCO DFD6361 диаметром 300 мм
Измельчитель кремниевых пластин DISCO DFG8830
