這 ASMPT ALSI LASER1205 雷射切割機 是一種先進的半導體晶圓分離系統，專為高精度雷射切割和晶圓開槽應用而設計。
由 ASMPT ALSI 開發的 LASER1205 平台採用多光束雷射技術，可實現高速晶圓加工，並具有優異的邊緣品質、低熱影響和更高的晶片強度。
與傳統的刀片切割系統不同，基於雷射的晶圓分離技術可降低機械應力，使半導體製造商能夠加工諸如 SiC、GaAs、Ge、薄矽晶圓和先進封裝材料等具有挑戰性的材料。
LASER1205 平台專為工業半導體生產環境而設計，支援自動化晶圓處理、線上檢測以及針對不同製造需求的多種雷射配置。
什麼是 ASMPT ALSI LASER1205 雷射切割機？
ASMPT ALSI LASER1205 是一款全自動半導體雷射加工系統，用於晶圓切割和開槽應用。
本設備採用聚焦雷射能量而非機械切割刀片。這使得製造商能夠在分離半導體晶圓的同時，最大限度地減少機械應力並降低邊緣損傷。
主要應用領域包括：
半導體晶圓切割
雷射開槽
SiC晶片分離
GaAs晶圓切割
薄晶圓加工
先進半導體封裝
ASMPT ALSI 開發的 LASER1205 系列是一款用於晶圓分離和開槽製程的大批量生產平台。該系統提供多種配置，包括 Dicing UV Plus、Dicing IR、Grooving UV 和 Grooving UV-USP。
為什麼半導體製造商要使用雷射切割技術
傳統的半導體晶圓切割主要依賴鑽石刀片切割。雖然刀片切割仍被廣泛應用，但先進半導體材料由於其硬度高、脆性大以及對機械應力敏感等特點，帶來了新的挑戰。
雷射切割有以下幾個優點：
降低機械應力
減少碎裂和開裂
更窄的切割寬度
更好的模具強度
適用於易碎半導體材料
這使得雷射加工對於下一代半導體應用（包括電動車功率裝置、射頻元件、MEMS 和先進封裝）變得越來越重要。
ASMPT ALSI LASER1205 多光束雷射技術
多光束雷射加工
LASER1205 的關鍵技術是 ASMPT ALSI 的多光束雷射加工技術。
該系統利用衍射光學元件（DOE）將雷射光束分成多個較小的光束。這樣就可以同時處理晶圓上的多個區域。
多梁結構提高了生產效率，同時保持了優異的切割品質。
低熱影響區 (HAZ)
在雷射半導體加工過程中，熱產生是一個關鍵問題。
過大的熱影響會影響半導體性能並降低晶片可靠性。
LASER1205 旨在最大限度地減少熱影響區 (HAZ)，從而支援對敏感半導體裝置進行高品質的晶圓分離。
ASMPT 規定了 LASER1205 的典型性能指標，包括定位精度低於 1.5 μm、切割寬度低於 12 μm 以及低熱影響區性能（取決於製程配置）。
ASMPT LASER1205 機器配置
LASER1205 切割 UV Plus
UV Plus 配置專為薄矽晶圓切割和高晶片強度應用而設計。
典型應用包括：
功率半導體裝置
MOSFET
IGBT
薄晶圓加工
先進積體電路製造
LASER1205 切割紅外線
紅外線雷射器配置針對非矽半導體材料進行了最佳化。
它通常用於：
GaAs晶圓切割
鍺芯片加工
射頻半導體裝置
此紅外線系統採用1064奈米雷射波長，支持化合物半導體材料的高品質加工。
LASER1205 UV刻槽機
開槽 UV 配置旨在刀片切割或等離子切割製程之前創建精確的凹槽。
它通常用於：
低介電常數材料
聚醯亞胺層
存儲晶圓製備
LASER1205 開槽 UV-USP
UV-USP 配置採用超短脈衝雷射技術，適用於先進的開槽應用。
它專為對熱影響極低和材料去除精度要求極高的應用而設計。
ASMPT LASER1205 主要特性
高精度晶圓加工
LASER1205 專為定位精度和製程穩定性至關重要的半導體製造環境而設計。
該系統提供高精度運動控制，以在晶圓分離和開槽操作過程中保持穩定的雷射加工品質。
高定位精度有助於製造商實現一致的切縫品質並提高晶圓整體良率。
線上視覺監測系統
LASER1205 整合了先進的視覺檢測系統，用於晶圓對準和製程監控。
視覺系統有助於驗證晶圓位置、監控加工條件並提高生產重複性。
即時檢測可降低大批量半導體生產過程中出現製程偏差的風險。
自動晶圓處理
該設備支援晶圓自動裝載、對準、雷射加工和卸載。
自動化工作流程減少了操作員的干預，提高了生產效率。
靈活的雷射光源選項
不同的半導體材料需要不同的雷射特性。
LASER1205平台支援多種雷射配置，包括：
紫外線雷射加工
紅外線雷射加工
超短脈衝雷射加工
這種靈活性使製造商能夠根據晶圓材料和裝置結構優化製程。
ASMPT LASER1205 技術規格
| 範圍 | 描述 |
|---|---|
| 設備類型 | 全自動半導體雷射切割和開槽系統 |
| 製造商 | ASMPT ALSI |
| 模型 | 雷射1205 |
| 加工技術 | 多光束雷射切割/雷射開槽 |
| 雷射配置 | 紫外線/紅外線/超濾紫外線 |
| 位置精度 | 小於 1.5 微米 |
| 典型切縫寬度 | 小於 12 微米 |
| 熱影響區 | 低熱衝擊雷射加工 |
| 支援材料 | 矽、碳化矽、砷化鎵、鍺、DAF、模具材料 |
| 主要應用 | 晶圓切割、晶圓開槽、半導體單晶化 |
具體配置取決於雷射類型、材料要求和客戶生產流程。
ASMPT LASER1205雷射切割機的應用
SiC功率半導體加工
碳化矽（SiC）已成為用於電動車、充電系統和再生能源應用的下一代功率半導體裝置的關鍵材料。
由於碳化矽硬度高、脆性大，因此需要先進的晶圓分離技術。
LASER1205 為 SiC 晶圓切割和開槽提供低損傷雷射加工解決方案。
GaAs射頻半導體製造
GaAs材料廣泛應用於射頻通訊設備、無線系統和高頻半導體應用。
雷射切割有助於減少 GaAs 晶圓分離過程中的機械應力並提高晶片品質。
先進封裝應用
現代半導體封裝需要更薄的晶圓和更小的晶片尺寸。
LASER1205 透過提供窄切割寬度和精確的晶圓加工能力，為先進的封裝製程提供支援。
薄晶圓加工
薄矽片在先進半導體裝置的應用日益廣泛。
機械切割可能會引入應力和裂紋，而雷射加工則提供了一種力更小的替代方案。
微機電系統和感測器元件
MEMS裝置通常包含脆弱的結構，因此需要低污染、低機械應力的加工處理。
雷射切割技術為這些對精度要求極高的應用提供了優勢。
ASMPT LASER1205 與 DISCO DFL7341
| 比較 | ASMPT LASER1205 | 迪斯可 DFL7341 |
|---|---|---|
| 科技 | 多光束雷射切割/開槽 | 隱形切割技術 |
| 主要優勢 | 高生產率和靈活的雷射加工 | 低損傷晶圓分離 |
| 主要材料 | 矽、碳化矽、砷化鎵、鍺、先進封裝材料 | 藍寶石、碳化矽、微機電系統、複合材料 |
| 加工方法 | 雷射燒蝕/雷射開槽 | 內部雷射改質層 |
| 典型應用 | 功率半導體、射頻、先進封裝 | LED、MEMS、化合物半導體 |
ASMPT LASER1205 和 DISCO DFL7341 都屬於先進的半導體雷射加工設備，但它們的技術原理卻有所不同。
LASER1205 專注於柔性雷射切割和開槽生產效率，而 DFL7341 則專注於用於低損傷晶圓分離的隱形切割技術。
ASMPT LASER1205 維護注意事項
雖然雷射切割系統與刀片切割設備相比減少了機械磨損，但仍需要定期維護以保持製程穩定性。
雷射源性能檢測
光學鏡頭清潔與對準驗證
視覺系統校準
卡盤工作台精度偵測
運動軸校準
冷卻系統維護
軟體和食譜備份
對於翻新的 ASMPT LASER1205 設備，買家應評估：
雷射光源運轉時間
光學系統狀況
處理準確性記錄
以往的生產應用
維護歷史
翻新 ASMPT LASER1205 設備評估指南
由於雷射切割系統投資成本高昂，半導體設備二手市場對其需求不斷成長。
在購買翻新的 LASER1205 系統之前，工程師應確認以下幾點：
| 檢查項目 | 重要檢查 |
|---|---|
| 雷射系統 | 雷射輸出穩定性和壽命 |
| 光學系統 | 鏡頭狀況和對準精度 |
| 運動系統 | X/Y/Z軸精度 |
| 視覺系統 | 相機標定和識別性能 |
| 流程數據 | 以往的晶圓材料與生產歷史 |
| 軟體 | 配方可用性和系統相容性 |
結論
這 ASMPT ALSI LASER1205 雷射切割機 是一個先進的半導體晶圓加工平台，專為滿足現代半導體製造需求而設計。
LASER1205 採用多光束雷射技術、靈活的紫外線和紅外線配置、自動晶圓處理，並支援 SiC 和 GaAs 等難加工材料，為晶圓切割和雷射開槽應用提供了可靠的解決方案。
隨著半導體裝置持續朝向更高的功率密度、更小的封裝尺寸和先進的材料發展，基於雷射的晶圓加工技術將在半導體製造中發揮越來越重要的作用。
相關半導體設備
DISCO DFL7341 雷射切割系統
DISCO DFD6341 全自動切割鋸
DISCO DFD6361 300mm 晶圓切割機
DISCO DFG8830 碳化矽晶圓研磨機
