De ASMPT ALSI LASER1205 lasersnijmachine Dit is een geavanceerd systeem voor het scheiden van halfgeleiderwafels, ontworpen voor uiterst nauwkeurige lasersnijden en het aanbrengen van groeven in wafels.
Het LASER1205-platform, ontwikkeld door ASMPT ALSI, maakt gebruik van multi-beam lasertechnologie om snelle waferverwerking te realiseren met een uitstekende randkwaliteit, lage thermische impact en verbeterde chipsterkte.
In tegenstelling tot traditionele snijsystemen met messen, vermindert lasergebaseerde waferseparatie de mechanische spanning en stelt het halfgeleiderfabrikanten in staat om lastige materialen zoals SiC, GaAs, Ge, dunne siliciumwafers en geavanceerde verpakkingsmaterialen te verwerken.
Het LASER1205-platform is ontworpen voor industriële halfgeleiderproductieomgevingen en ondersteunt geautomatiseerde waferverwerking, inline-inspectie en meerdere laserconfiguraties voor verschillende productiebehoeften.
Wat is de ASMPT ALSI LASER1205 lasersnijmachine?
De ASMPT ALSI LASER1205 is een volledig automatisch halfgeleiderlaserbewerkingssysteem dat wordt gebruikt voor het snijden en groeven van wafers.
De apparatuur maakt gebruik van gerichte laserenergie in plaats van mechanische snijbladen. Hierdoor kunnen fabrikanten halfgeleiderwafers scheiden met minimale mechanische spanning en minder beschadiging van de randen.
De belangrijkste toepassingen zijn onder andere:
Halfgeleiderwafels snijden
Lasergroeven
SiC-waferscheiding
GaAs-wafers snijden
Dunne waferverwerking
Geavanceerde halfgeleiderverpakkingen
ASMPT ALSI heeft de LASER1205-familie ontwikkeld als een platform voor grootschalige productie van wafer-scheidings- en groefprocessen. Het systeem is verkrijgbaar in verschillende configuraties, waaronder Dicing UV Plus, Dicing IR, Grooving UV en Grooving UV-USP.
Waarom halfgeleiderfabrikanten laser-dicingtechnologie gebruiken
Het traditionele snijden van halfgeleiderwafels gebeurt voornamelijk met diamantbladen. Hoewel snijden met diamantbladen nog steeds veel gebruikt wordt, brengen geavanceerde halfgeleidermaterialen nieuwe uitdagingen met zich mee vanwege hun hardheid, broosheid en gevoeligheid voor mechanische spanning.
Lasersnijden biedt diverse voordelen:
Lagere mechanische spanning
Minder afbrokkeling en scheurvorming
Smallere snijbreedte
Betere matrijssterkte
Geschikt voor kwetsbare halfgeleidermaterialen.
Hierdoor wordt laserbewerking steeds belangrijker voor de volgende generatie halfgeleidertoepassingen, waaronder energiebronnen voor elektrische voertuigen, RF-componenten, MEMS en geavanceerde verpakkingstechnologie.
ASMPT ALSI LASER1205 Multi-Beam Lasertechnologie
Multistraalslaserbewerking
De belangrijkste technologie van LASER1205 is de multi-beam laserverwerkingstechnologie van ASMPT ALSI.
Het systeem maakt gebruik van een diffractief optisch element (DOE) om de laserstraal in meerdere kleinere stralen te verdelen. Hierdoor kunnen meerdere delen van de wafer gelijktijdig worden bewerkt.
De constructie met meerdere balken verbetert de productiviteit en zorgt tegelijkertijd voor een uitstekende snijkwaliteit.
Lage hittebeïnvloede zone (HAZ)
Warmteontwikkeling is een cruciaal probleem tijdens lasergestuurde halfgeleiderbewerking.
Overmatige thermische belasting kan de prestaties van halfgeleiders beïnvloeden en de betrouwbaarheid van de chip verminderen.
LASER1205 is ontworpen om de door warmte beïnvloede zone (HAZ) te minimaliseren, waardoor een hoogwaardige waferseparatie voor gevoelige halfgeleidercomponenten mogelijk is.
ASMPT specificeert typische prestatiewaarden voor de LASER1205, waaronder positioneringsnauwkeurigheid onder 1,5 μm, snijbreedte onder 12 μm en lage warmtebeïnvloede zone (HAZ), afhankelijk van de procesconfiguratie. :contentReference[oaicite:1]{index=1}
ASMPT LASER1205 Machineconfiguraties
LASER1205 Dicing UV Plus
De UV Plus-configuratie is ontworpen voor het snijden van dunne siliciumwafers en toepassingen met hoge chipsterkte.
Typische toepassingen zijn onder meer:
Vermogenshalfgeleiderapparaten
MOSFET
IGBT
Dunne waferverwerking
Geavanceerde IC-productie
LASER1205 Dicing IR
De IR-laserconfiguratie is geoptimaliseerd voor halfgeleidermaterialen die geen silicium bevatten.
Het wordt vaak gebruikt voor:
GaAs-wafers snijden
Ge-waferverwerking
RF-halfgeleiderapparaten
Het IR-systeem maakt gebruik van een laser met een golflengte van 1064 nm en ondersteunt hoogwaardige verwerking van samengestelde halfgeleidermaterialen. :contentReference[oaicite:2]{index=2}
LASER1205 Groef UV
De Grooving UV-configuratie is ontworpen om nauwkeurige groeven te creëren vóór het snijden met messen of plasmasnijden.
Het wordt vaak gebruikt voor:
Lage-K-materialen
Polyimide lagen
Voorbereiding van geheugenwafels
LASER1205 Groef UV-USP
De UV-USP-configuratie maakt gebruik van ultrakorte pulslasertechnologie voor geavanceerde groefbewerkingstoepassingen.
Het is ontworpen voor toepassingen die een extreem lage thermische belasting en nauwkeurige materiaalafvoer vereisen.
Belangrijkste kenmerken van de ASMPT LASER1205
Zeer nauwkeurige waferverwerking
De LASER1205 is ontworpen voor halfgeleiderproductieomgevingen waar positioneringsnauwkeurigheid en processtabiliteit cruciaal zijn.
Het systeem biedt uiterst nauwkeurige bewegingscontrole om een stabiele laserbewerkingskwaliteit te garanderen tijdens het scheiden en groefmaken van wafers.
Een hoge positioneringsnauwkeurigheid helpt fabrikanten een consistente snijkwaliteit te bereiken en de algehele waferopbrengst te verbeteren.
Inline Vision Monitoring System
LASER1205 integreert een geavanceerd visueel inspectiesysteem voor waferuitlijning en procesbewaking.
Het vision-systeem helpt bij het controleren van de positie van de wafer, het bewaken van de verwerkingsomstandigheden en het verbeteren van de herhaalbaarheid van de productie.
Realtime inspectie vermindert het risico op verwerkingsafwijkingen tijdens de grootschalige productie van halfgeleiders.
Automatische waferverwerking
De apparatuur ondersteunt geautomatiseerd laden, uitlijnen, laserbewerking en lossen van wafers.
De geautomatiseerde workflow vermindert de noodzaak tot tussenkomst van de operator en verbetert de productie-efficiëntie.
Flexibele laserbronopties
Verschillende halfgeleidermaterialen vereisen verschillende laserkarakteristieken.
Het LASER1205-platform ondersteunt meerdere laserconfiguraties, waaronder:
UV-laserbewerking
IR-laserbewerking
Ultrasnelle pulslaserbewerking
Deze flexibiliteit stelt fabrikanten in staat processen te optimaliseren op basis van het wafermateriaal en de apparaatstructuur.
Technische specificaties van de ASMPT LASER1205
| Parameter | Beschrijving |
|---|---|
| Apparaattype | Volautomatisch systeem voor het snijden en groeven van halfgeleiderlasers |
| Fabrikant | ASMPT ALSI |
| Model | LASER1205 |
| Verwerkingstechnologie | Lasersnijden met meerdere stralen / lasergroeven |
| Laserconfiguratie | UV / IR / UV-USP |
| Positienauwkeurigheid | Beneden 1,5 μm |
| Typische zaagsnedebreedte | Beneden 12 μm |
| Hittebeïnvloede zone | Laserbewerking met lage thermische impact |
| Ondersteunde materialen | Silicium, SiC, GaAs, Ge, DAF, vormmaterialen |
| Belangrijkste toepassingen | Wafersnijden, wafergroeven, halfgeleiderscheiding |
De exacte configuratie is afhankelijk van het type laser, de materiaaleisen en het productieproces van de klant.
Toepassingen van de ASMPT LASER1205 lasersnijmachine
SiC-vermogenshalfgeleiderverwerking
Siliciumcarbide (SiC) is uitgegroeid tot een sleutelmateriaal voor de volgende generatie vermogenshalfgeleiders die worden gebruikt in elektrische voertuigen, laadsystemen en toepassingen voor hernieuwbare energie.
Vanwege de hoge hardheid en broosheid vereist SiC geavanceerde technologie voor het scheiden van wafers.
LASER1205 biedt een laserbewerkingsoplossing met minimale schade voor het snijden en groeven van SiC-wafers.
GaAs RF-halfgeleiderproductie
GaAs-materialen worden veel gebruikt in RF-communicatieapparaten, draadloze systemen en hoogfrequente halfgeleidertoepassingen.
Lasersnijden helpt de mechanische spanning te verminderen en de chipkwaliteit te verbeteren tijdens het scheiden van GaAs-wafers.
Geavanceerde verpakkingstoepassingen
Moderne halfgeleiderverpakkingen vereisen dunnere wafers en kleinere chipafmetingen.
LASER1205 ondersteunt geavanceerde verpakkingsprocessen door smalle snijbreedtes en nauwkeurige waferverwerking mogelijk te maken.
Dunne waferverwerking
Dunne siliciumwafers worden steeds vaker gebruikt in geavanceerde halfgeleiderapparaten.
Mechanisch snijden kan spanning en scheuren veroorzaken, terwijl laserbewerking een minder belastend alternatief biedt.
MEMS- en sensorapparaten
MEMS-apparaten bevatten vaak fragiele structuren die een verwerking met weinig verontreiniging en lage mechanische spanning vereisen.
Lasersnijtechnologie biedt voordelen voor deze gevoelige toepassingen.
ASMPT LASER1205 versus DISCO DFL7341
| Vergelijking | ASMPT LASER1205 | DISCO DFL7341 |
|---|---|---|
| Technologie | Multi-Beam Laser Dicing / Grooving | Stealth Dicing-technologie |
| Belangrijkste voordeel | Hoge productiviteit en flexibele laserbewerking | Waferscheiding met minimale schade |
| Belangrijkste materialen | Si, SiC, GaAs, Ge, geavanceerde verpakkingsmaterialen | Saffier, SiC, MEMS, samengestelde materialen |
| Verwerkingsmethode | Laserablatie / lasergroeven | Interne lasermodificatielaag |
| Typische toepassingen | Vermogenshalfgeleiders, RF, geavanceerde verpakkingstechnologie | LED, MEMS, samengestelde halfgeleider |
Zowel de ASMPT LASER1205 als de DISCO DFL7341 behoren tot de geavanceerde halfgeleiderlaserbewerkingsapparatuur. Hun technische benaderingen verschillen echter.
LASER1205 richt zich op flexibele laserdicing en groefproductiviteit, terwijl DFL7341 zich richt op Stealth Dicing-technologie voor het scheiden van wafers met minimale schade.
ASMPT LASER1205 Onderhoudsrichtlijnen
Hoewel lasersnijsystemen de mechanische slijtage verminderen in vergelijking met snijmachines met messen, is regelmatig onderhoud nog steeds nodig om de processtabiliteit te waarborgen.
Prestatie-inspectie van de laserbron
Reiniging en uitlijning van optische lenzen
kalibratie van het vision-systeem
Nauwkeurigheidsinspectie van de klauwplaat
Kalibratie van de bewegingsas
Onderhoud van het koelsysteem
Software- en receptback-up
Voor gereviseerde ASMPT LASER1205-apparatuur dienen kopers het volgende te beoordelen:
Openingstijden van de laserbron
Toestand van het optische systeem
Nauwkeurigheidsregistraties verwerken
Eerdere productie-applicaties
Onderhoudshistorie
Evaluatiehandleiding voor gereviseerde ASMPT LASER1205-apparatuur
De markt voor tweedehands halfgeleiderapparatuur kent een toenemende vraag naar lasersnijsystemen vanwege de hoge investeringskosten.
Voordat technici een gereviseerd LASER1205-systeem aanschaffen, dienen ze de volgende punten te controleren:
| Inspectieartikel | Belangrijke controle |
|---|---|
| Lasersysteem | Stabiliteit en levensduur van de laseroutput |
| Optisch systeem | Lensconditie en nauwkeurigheid van de uitlijning |
| Bewegingssysteem | Nauwkeurigheid van de X/Y/Z-as |
| Visiesysteem | Camerakalibratie en herkenningsprestaties |
| Procesgegevens | Eerdere geschiedenis van wafermateriaal en -productie |
| Software | Beschikbaarheid van recepten en systeemcompatibiliteit |
Conclusie
De ASMPT ALSI LASER1205 lasersnijmachine Het is een geavanceerd platform voor de verwerking van halfgeleiderwafels, ontworpen voor de moderne eisen van de halfgeleiderproductie.
Met multi-beam lasertechnologie, flexibele UV- en IR-configuraties, automatische waferverwerking en ondersteuning voor lastige materialen zoals SiC en GaAs, biedt LASER1205 een betrouwbare oplossing voor wafer-dicing en lasergrooving-toepassingen.
Naarmate halfgeleidercomponenten zich blijven ontwikkelen naar hogere vermogensdichtheid, kleinere behuizingen en geavanceerdere materialen, zal lasergebaseerde waferverwerkingstechnologie een steeds belangrijkere rol spelen in de halfgeleiderproductie.
Gerelateerde halfgeleiderapparatuur
DISCO DFL7341 Lasersnijdsysteem
DISCO DFD6341 Volautomatische zaagmachine
DISCO DFD6361 300mm wafer-dicingmachine
DISCO DFG8830 SiC-wafelslijpmachine
