ASML XT 760F 是荷蘭 ASML 公司生產的 8 吋（200 公釐）晶圓 i 線步進掃描微影系統。它是 XT 平台中的經典主力機型，專為厚光阻應用和功率元件製造而設計。它與 XT 1250i (KrF) 機型相輔相成——760F 負責處理厚光阻層和較粗糙的特徵，而 1250i 則負責處理精細的關鍵層。
以下是對該系統的完整概述：
1. 主要技術規格
光源：採用波長 365nm 的高壓汞燈（i 線），而非雷射。
光學特性：投影物鏡的典型數值孔徑 (NA) 為 0.65，解析度極限約為 220nm–250nm。
曝光場：標準場尺寸為 26mm x 33mm；吞吐量約為每小時 80-100 片晶圓 (WPH)，取決於光阻厚度。
套刻精度：配備 XT 平台的標準對準系統，套刻精度通常在 ±40nm 左右——足以滿足非關鍵層和厚光阻製程的需求。
2. 技術特點和平台優勢（與舊款 PAS 5500/700 相比）
XT平台升級：與傳統的PAS 5500/700系列相比，760F的載物台剛性和掃描加速度均顯著提升。測量和曝光之間的過渡更加平滑，系統整體穩定性也超越了上一代產品。
厚光阻製程之王：i線光源的較長波長使其能夠為厚光阻（通常為3µm–10µm）提供極佳的穿透深度。結合優化的照明均勻性，它可確保陡峭的垂直側壁輪廓－這是KrF（248nm）系統難以實現的。
照明模式：支援標準常規照明和環形照明，使其適用於表面形貌複雜（高縱橫比）的晶圓進行圖案化。 3. 主要應用領域（與 KrF 型號嚴格分工）
它不追求精細的線寬，而是專注於高可靠性、高厚度的「粗特徵」工藝：
用於功率半導體的厚光阻層：用於IGBT、MOSFET和SiC（碳化矽）裝置的深溝槽蝕刻掩模（需要施加極厚的光阻）；
MEMS微結構：用於加速度計和微流控晶片的腔體或柱狀結構；
非關鍵層：鈍化層開口、粗金屬佈線層（Al/Cu）、離子注入層等。
4. 採用 XT 1250i (KrF) 的生產線勞動分工（關鍵）
如果您的 8 吋生產線同時運行這兩台設備：
760F（i 線）：專用於光阻厚度 > 2.5µm 的層（例如，深溝槽、厚金屬），充分利用其穿透能力；
1250i (KrF)：專用於光阻厚度小於 1.5µm 的精細特徵層（例如，有源區、接觸孔）。
避免使用 KrF 進行厚光阻曝光（這會導致底部殘留物和圖案坍塌），避免使用 i 線進行細線寬曝光（因為分辨率不足）；合理的勞動分工是保持穩定良率的核心策略。
6. 操作痛點和關鍵警告（給工程師的實用建議）
汞燈是「耗電大戶」：它們會產生巨大的熱量，因此配套的水冷系統（冷卻器）至關重要。如果照射能量不足，請勿直接更換燈管；首先要檢查冷卻水的流量和過濾器。散熱不良會導致燈管過早老化，而80%的能耗警報都源自於水路堵塞。
靜電和灰塵是隱形的殺手：i-line 系統對鏡頭上的微小灰塵比 KrF 系統更為敏感；保持無塵室標準（1/10 級）和高純度氮氣吹掃至關重要。在日常維護期間，鏡頭筒吹掃系統中異常的流量會直接導致影像模糊——這個問題遠比燈管老化更隱密。簡而言之：XT 760F 是 8 吋生產線上厚光阻製程不可或缺的「重型設備」。在當前 SiC 和 IGBT 等功率裝置蓬勃發展的背景下，它不僅是現有 KrF 系統（例如 XT 1250i）的完美補充，而且並非過時的設備。購買時，鏡頭透光率是決定其可行性的關鍵因素－切勿僅以價格作為決策依據。
