蝕刻
移除選定的暴露材料,並將光刻圖案轉移到薄膜或晶圓上。
圖案轉移到材料上薄膜沉積形成材料層,光刻技術定義保護區和暴露區,蝕刻去除選定的材料,計量和檢測驗證最終結構。具體步驟因層數、裝置結構和製程整合而異。
創造將被圖案化的介電層、導體層、金屬層或半導體層。
模式定義定義光阻或硬掩模中的受保護區域和暴露區域。
移除選定的暴露材料,並將光刻圖案轉移到薄膜或晶圓上。
圖案轉移到材料上檢查關鍵尺寸、深度、輪廓、均勻性和可見的工藝缺陷。
瀏覽目前二手等離子蝕刻機、RIE蝕刻機、ICP-RIE蝕刻機、DRIE蝕刻機、乾式蝕刻機、灰化機和光阻剝離設備。機器配置、腔室、晶圓尺寸、已安裝選購品、已知狀況及交付範圍均針對特定係統進行確認。
需要使用目前未列出的平台?
請提供製造商、型號、腔室名稱、銘牌、機器照片或工藝要求。我們可以查看現有產品清單、即將到貨的系統以及基於您需求的採購信息,然後為您推薦最合適的方案。
這三條路徑涵蓋了已列出的設備、正在準備報價的系統以及詢價後通過採購檢查的其他平台。
二手設備可以幫助維護現有的製程平台,取代故障的系統,增加產能,或取得不再透過正常新設備管道獲得的設備和零件。
當新設備供應停止但生產流程仍在進行時,繼續使用已建立的機器系列。
用熟悉的平台取代故障機器,或擴展成熟的節點、MEMS 或特殊生產線。
當合適的二手平台能夠滿足實際流程和交付要求時,應減少資本投入。
確定可能有助於減少非計劃性停機時間的腔室部件、射頻組件、MFC、泵浦、閥門、卡盤、密封件或感測器。
您無需提供完整的規格說明即可開始。只需提供型號、銘牌、設備照片、製程目標、現有機器或零件編號,我們即可協助您確定下一步的實際操作步驟。
有型號、銘牌或設備照片嗎?我們可以確定可能的平台系列,並確認需要檢查哪些配置細節。
知道晶圓尺寸、材質或目標結果,但不知道型號?我們可以縮小相關設備範圍,並確定仍需驗證的生產線條件。
是想擴大產能還是更換現有設備?請告知我們目前的平台和生產目標,以便我們評估已列出、即將到貨和可採購的設備選項。
需要腔室、模組或關鍵備件嗎?請提供機器型號、零件編號或組件照片,以便我們核實供貨方案以及仍需確認的細節。
我們的採購和支援團隊可以整理現有信息,縮小需求範圍,並將討論引向設備、更換、零件或故障排除。
報價和交付範圍應明確說明特定機器、商定的配套物品、包裝和運輸責任、關鍵備件、保固和支援期限。
確認製造商、完整型號、已知狀況、當前位置以及報價中包含的設備或配件。
負責拆卸、出口包裝、裝載、運輸和交付至約定港口或地點的國家。
查看有用的備件,並確認特定訂單的保固、服務期限、技術支援和報告流程。
記錄卸貨情況和可見損壞情況,然後核實機器、腔室、序號和約定的輔助物品。
在啟動系統之前,請確認電力、氣體、真空、排氣、冷卻、環境條件和運輸鎖具是否正常。
請提供照片、影片、警報訊息、序號、零件標籤和清晰的描述,以便進行下一步審查。
當收貨檢查、安裝準備、啟動檢查、警報檢查或備件匹配過程中出現問題時,我們可以幫助整理信息,審查可能的問題方向,並協調下一步的實際步驟,而不是讓買家獨自解決所有問題。
關於乾式蝕刻、濕式蝕刻、RIE、ICP-RIE、DRIE、二手設備和備件的常見問題。
乾式蝕刻通常在真空腔內使用氣體、等離子體或活性物質。濕式蝕刻則使用液態化學試劑,可在批量式、噴塗式或單晶圓設備中進行。兩種製程的製程、選擇性、材料和設備要求均有所不同。
RIE 是一種常見的定向乾蝕方法。 ICP-RIE 使用高密度等離子體源,可以更獨立地控制等離子體密度和晶圓偏壓。 DRIE 主要用於深矽和高深寬比結構,例如 MEMS 或 TSV 應用。
機器照片、銘牌、腔室標籤、控制器螢幕或零件標籤可能足以識別平台系列並確定哪些附加資訊有用。
有可能,但答案取決於材料、目標輪廓、晶圓尺寸、腔室配置、等離子體源、氣體輸送、射頻系統、溫度控制以及特定機器的製程歷史。
您可以發送目標製造商、型號、腔室名稱、照片或工藝要求。這樣,我們就可以在不預先假設相容性的情況下,查看當前的供貨情況、採購選項或可能的替代方案。
備件申請可依製造商、型號、腔室、零件編號、標籤或照片查詢。供貨情況取決於特定零件和當前庫存。
請先提供型號、銘牌、機器照片、腔室標籤、晶圓尺寸、材質、目標蝕刻結果、故障描述或備用零件編號。我們可以評估設備的發展方向、目前可用性以及下一步的技術或商務步驟。