應用材料公司（Applied Materials）的P5000，也稱為Precision 5000平台，是一款單晶圓多腔室半導體加工系統。此配置被認定為用於在150毫米和200毫米晶圓上沉積氧化矽和氮化矽的PECVD設備。
此模組化平台可圍繞中央晶圓處理系統支援多個獨立的製程腔室。由於 P5000 系統配備的腔室類型和製程套件各不相同，因此必須針對特定使用的機器確認已安裝的 PECVD 配置。
應用材料公司 P5000 PECVD 主要技術規格
| 製造商 | 應用材料 |
|---|---|
| 平台 | 精密5000 |
| 模型 | P5000 PECVD |
| 設備類型 | 單晶圓多腔室PECVD系統 |
| 所列的晶圓尺寸 | 150毫米和200毫米晶圓 |
| 已公佈平台容量 | 依配置不同，最多可設定四個獨立的工藝腔室。 |
| 列出的薄膜材料 | SiO2 和 SiN |
| 其他已發表的PECVD資料 | 在適當配置的系統上採用非晶矽 |
| 公佈的工作溫度 | 對於典型的PECVD配置，溫度約為200–400°C；具體溫度範圍需依反應室狀況確認。 |
| 晶圓加工 | 單晶圓順序處理 |
| 來源列表狀態 | 已掛牌出售；目前數量和配置需重新確認。 |
| 狀態 | 用過的 半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、腔室配置和檢驗確認情況而定 |
主要設備特性
單晶圓多腔室平台架構
支援 150 毫米和 200 毫米晶圓
採用等離子增強化學氣相沉積法（PECVD）沉積氧化矽
已發布的平台上最多可設置四個獨立的工藝腔室。
集中式晶圓傳輸，連接裝載站和製程腔室
單一腔室配置可以支援不同的薄膜工藝
典型應用
P5000 PECVD 設備可用於沉積介電層和鈍化層，例如氧化矽和氮化矽。配備適當裝置的腔室也可用於非晶矽或特殊氧化物製程。
具體的薄膜製備能力取決於所安裝的腔室類型、射頻產生器、電極和加熱器組件、氣體面板、前驅體系統和製程套件。僅憑平台名稱不足以確認特定的沉積配方。
二手設備配置和檢驗
報價前，客戶應確認已安裝的腔室、晶圓尺寸設定、裝載站、傳送機器人、腔室加熱器、射頻產生器、匹配網路、氣體面板、MFC 範圍、真空幫浦和製程控制軟體的數量和標識。
來源頁面列出了多個可用的系統，但它們的腔室佈局可能並不完全相同。應查看所提供的特定機器的最新照片、腔室標籤、設定檔和完整的交付清單。
索取應用材料公司 P5000 信息
請聯絡我們的團隊，查詢目前是否有二手應用材料 P5000 PECVD 設備可供使用。請提供您的晶圓尺寸、靶膜類型、所需腔室數量、沉積過程、目的地國家/地區以及預計安裝時間。
請聯絡我們以取得目前設備照片、腔室配置、序號、檢驗狀態和報價。
常見問題解答
所列的 P5000 支援哪些晶圓尺寸？
設備清單列出了可用於 6 吋和 8 吋晶圓的 PECVD 設備。已安裝的晶圓處理硬體必須與所需的直徑相符。
P5000最多可以有多少個工藝腔室？
已發布的Precision 5000平台最多可支援四個獨立的工藝腔室。二手系統上實際安裝的腔室數量可能更少。
P5000 PECVD 可以沉積哪些薄膜？
所列系統適用於SiO2和SiN沉積。其他薄膜的沉積則需要相應的反應腔、氣體系統和合格的製程配方。
所有可用的 P5000 系統設定方式都相同嗎？
不。製程腔室、晶圓尺寸、幫浦、氣體面板、射頻設備和軟體在不同的機器上可能有所不同。每種配置都應單獨檢查。