Die Thermco 5200 ist eine horizontale Diffusionsofenplattform für die Halbleiter-, MEMS-, Photovoltaik- und zugehörige Substratbearbeitung. Die verfügbare Liste kennzeichnet die Anlage für Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 150 mm.
Die Plattform 5200 kann mit zwei bis vier unabhängigen Prozessrohren konfiguriert werden. Die einzelnen Rohre können je nach den verwendeten Rohrmaterialien, Gassystemen und der Abgaskonfiguration Oxidations-, Diffusions-, Glüh- oder kompatiblen LPCVD-Prozessen zugeordnet werden.

| Hersteller | Thermco-Systeme |
|---|---|
| Modell | 5200 |
| Gerätetyp | Horizontaler Mehrrohr-Diffusionsofen |
| Maximale Substratgröße | Bis zu 150 mm |
| Plattformrohrkonfiguration | Zwei bis vier Prozessrohre, abhängig vom installierten System |
| Maximale ebene Zone | Bis zu 1.100 mm |
| Veröffentlichter Arbeitsbereich | 200–1350 °C, abhängig von der Heizungs- und Prozesskonfiguration |
| Heizzonen | Drei unabhängig voneinander steuerbare Ofenzonen |
| Optionale Rampenrate | Bis zu 25 °C pro Minute mit der entsprechenden Schnellaufheizoption |
| Optionale Kühlrate | Bis zu 20 °C pro Minute mit der entsprechenden Schnellkühloption |
| Prozesssteuerung | Thermco-Ofensteuerungssystem; die Version des installierten Reglers muss bestätigt werden. |
| Zustand | Gebraucht Halbleiteranlagen |
| Verfügbarkeit | Vorbehaltlich des aktuellen Lagerbestands, der Rohrkonfiguration und der Bestätigung der Inspektion |
Horizontale Ofenplattform zur Aufnahme von Wafern bis zu 150 mm
Konfigurierbare Zwei- bis Vier-Röhren-Systemarchitektur
Temperaturebene Zone bis zu 1100 mm
Drei unabhängig voneinander steuerbare Heizzonen
Einzelne Rohre können für verschiedene thermische Prozesse konfiguriert werden.
Kompatibel mit manueller, halbautomatischer oder konfigurationsabhängiger automatisierter Beladung
Zu den veröffentlichten Anwendungsgebieten von Thermco 5200 gehören Nass- und Trockenoxidation, Dotierstoffdiffusion, Formiergasglühen, Hochtemperatur-Einspritzung und andere Wärmebehandlungen. Geeignet konfigurierte Röhren können auch Siliziumnitrid-, Polysilizium-, TEOS-, LTO- oder verwandte LPCVD-Prozesse unterstützen.
Die verfügbare Maschine sollte nur für Prozesse eingesetzt werden, die von den installierten Rohren, dem Gasschrank, dem Drucksystem und der Abgasanlage unterstützt werden. Verschiedene Rohre im selben Hauptrahmen können unterschiedliche Prozesshistorien aufweisen.

Die veröffentlichten Spezifikationen beschreiben die konfigurierbare Plattform 5200. Das verfügbare Gebraucht-System kann weniger als vier Röhren, unterschiedliche Heizertypen, ein älteres Steuerungssystem oder prozessspezifische Gas- und Abgasanlagen enthalten.
Vor der Angebotserstellung sollten Kunden die Anzahl der installierten Rohre, die Rohrabmessungen, den Zustand der Heizung, den Temperaturbereich, die Quarzwaren, die Wafer-Boote, das Beladungssystem, die Gaspaneele, die MFCs, die Druckregler, die Pumpen, die Abgasbehandlung und die Controller-Version bestätigen.

Kontaktieren Sie unser Team, um die aktuelle Verfügbarkeit des gebrauchten Thermco 5200 zu prüfen. Bitte geben Sie Ihre Wafergröße, den vorgesehenen Prozess, die benötigte Anzahl an Ofenrohren, den Zieltemperaturbereich, die Prozessgase, das Zielland und den Installationsplan an.
Kontaktieren Sie uns für aktuelle Fotos der Anlagen, Informationen zur Rohrkonfiguration, zur Prozesshistorie, zum Inspektionsstatus und ein Angebot.
Die veröffentlichte 5200-Plattform unterstützt Halbleiter- und verwandte Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 150 mm.
Die Plattform kann mit zwei bis vier Prozessrohren konfiguriert werden. Die Anzahl der auf der verfügbaren Maschine installierten Rohre muss bestätigt werden.
Mögliche Verfahren umfassen Oxidation, Diffusion, Glühen und ausgewählte LPCVD-Anwendungen. Jedes installierte Rohr muss hinsichtlich des zugewiesenen Prozesses und der Gaskonfiguration überprüft werden.
Der angegebene Plattformbereich reicht bis 1.350°C, das tatsächliche Maximum hängt jedoch von der installierten Heizung, den Thermoelementen, den Rohrmaterialien und der Prozesskonfiguration ab.