Thermco 5200 水平擴散爐
Thermco 5200 是一款水平生產擴散爐平台，適用於半導體、MEMS、光伏及相關基板加工。現有產品清單顯示，該設備適用於直徑最大為 150 毫米的晶圓。
5200平台可配置兩到四個獨立的工藝管。根據所安裝的管材、氣體系統和排氣配置，各個製程管可分別用於氧化、擴散、退火或相容的低壓化學氣相沉積（LPCVD）製程。
Thermco 5200 主要規格
| 製造商 | Thermco Systems |
|---|---|
| 模型 | 5200 |
| 設備類型 | 臥式多管擴散爐 |
| 最大基質尺寸 | 最大可達 150 毫米 |
| 平台管配置 | 根據所安裝的系統，需要兩到四個工藝管。 |
| 最大平坦區 | 最大可達 1,100 毫米 |
| 公佈的操作範圍 | 溫度範圍為 200–1350°C，視加熱器和製程配置而定。 |
| 暖氣區 | 三個獨立控制的爐區 |
| 可選斜坡速率 | 使用合適的快速升溫選項，最高升溫速度可達每分鐘 25°C |
| 可選冷卻速率 | 使用合適的快速冷卻選項，最高可達每分鐘 20°C |
| 過程控制 | Thermco爐控制系統；必須確認已安裝的控制器版本 |
| 狀態 | 用過的 半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、管材配置和檢驗結果而定 |
主要設備特性
水平爐平台，可容納最大尺寸為 150 毫米的晶圓
可設定的二管至四管系統架構
溫度平坦區厚度達 1100 毫米
三個獨立控制的加熱區
單一管子可以配置用於不同的熱過程。
相容於手動、半自動或配置相關的自動化裝載
典型應用
Thermco 5200 的公開應用包括濕法和乾式氧化、摻雜擴散、成型氣體退火、高溫驅動以及其他熱處理。配置合適的管子還可以支援氮化矽、多晶矽、TEOS、LTO 或相關的 LPCVD 製程。
現有設備應僅用於其已安裝的管道、氣櫃、壓力系統和排氣設備所支援的製程。同一主機中的不同管道可能有不同的製程歷史記錄。
二手設備配置和檢驗
已公佈的規格說明描述了可設定的 5200 平台。現有的二手系統可能包含少於四根管子、不同類型的加熱器、較舊的控制系統或特定製程的氣體和排氣設備。
報價前，客戶應確認安裝的管子數量、管子尺寸、加熱器狀況、溫度範圍、石英器皿、晶片舟、裝載系統、氣體面板、質量流量控制器、壓力控制器、泵浦、廢氣處理和控制器版本。
索取 Thermco 5200 信息
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請聯絡我們以取得當前設備照片、管路配置、製程歷史、檢驗狀態和報價。
常見問題解答
Thermco 5200 可以加工多大尺寸的晶圓？
已發布的 5200 平台支援直徑達 150 毫米的半導體及相關基板。
Thermco 5200 有幾根爐管？
此平台可配置兩到四個工藝管。需確認現有機器上已安裝的工藝管數量。
Thermco 5200 可以執行哪些製程？
可能的製程包括氧化、擴散、退火以及部分低壓化學氣相沉積（LPCVD）應用。每根已安裝的管子都必須根據其指定的工藝和氣體配置進行檢查。
所有 Thermco 5200 的運轉溫度都能達到 1350°C 嗎？
公佈的平台範圍可達 1,350°C，但實際最高溫度取決於安裝的加熱器、熱電偶、管材和製程配置。
