Das AG Associates Heatpulse 8108 ist ein Schnellthermoprozesssystem für Einzelwafer, das für kurze, kontrollierte Hochtemperaturprozesse in der Halbleiterindustrie eingesetzt wird. Die verfügbare Produktbeschreibung weist das System für 150-mm- und 200-mm-Wafer aus.
Die Heatpulse-Plattform erhitzt Wafer mithilfe von Wolframlampen-Arrays schnell und regelt die Prozesstemperatur über einen geschlossenen Regelkreis mit Thermoelementen oder Pyrometern. Die schnelle Abkühlung reduziert den gesamten Wärmebedarf im Vergleich zu längeren herkömmlichen Ofenzyklen.

| Hersteller | AG Associates |
|---|---|
| Produktfamilie | Hitzepuls |
| Modell | 8108 |
| Gerätetyp | Schnellthermisches Einzelwafer-Verarbeitungssystem |
| Unterstützte Wafergrößen | Bis zu 200 mm; die verfügbare Liste kennzeichnet 150-mm- und 200-mm-Wafer. |
| Heizmethode | Obere und untere Wolframlampenanordnungen |
| Temperaturmessung | Thermoelement oder Pyrometer, je nach installierter Konfiguration |
| Temperaturregelung | Geschlossene Prozesstemperaturregelung |
| Kühlmethode | Kaltwand-Wärmetauscherkühlung in der veröffentlichten Plattform |
| Veröffentlichte Prozessanwendungen | Glühen, kontrollierte Diffusion, Oxidation, Aktivierung und Silizidbildung |
| Prozessatmosphäre | Abhängig von der installierten Gasanlage, der Kammer und den gewählten Optionen |
| Zustand | Gebraucht Halbleiteranlagen |
| Verfügbarkeit | Vorbehaltlich des aktuellen Lagerbestands, der Prüfung und der Konfigurationsbestätigung |
Schnelle thermische Verarbeitung einzelner Wafer
Veröffentlichte Unterstützung für Substrate bis zu 200 mm
Schnelle Erhitzung von Wolframlampen-Wafern
Geschlossene Temperaturregelung mittels Thermoelement oder Pyrometer
Kaltwandkonstruktion für schnelle Nachbearbeitungskühlung
Geeignet für Forschung, Pilotproduktion und kompatible Fertigungsprozesse
Der Heatpulse 8108 kann für Nachbehandlungsglühen, Dotierstoffaktivierung, kontrollierte Diffusion, schnelle thermische Oxidation, Silizid- oder Salizidbildung, Reflow und andere kurzzeitige thermische Prozesse eingesetzt werden.
Die Prozesskompatibilität hängt vom Wafermaterial, dem Quarzwerkstoff der Kammer, dem Temperatursensor, dem Lampenzustand, der Gaszufuhr, der Sauerstoffüberwachung und dem verfügbaren Rezeptsatz ab. Der erforderliche Prozess sollte mit der Konfiguration der installierten Maschine abgeglichen werden.

Die Heatpulse 8108-Systeme können sich hinsichtlich Temperatursensor, Gaspanel, Sauerstoffüberwachungsoption, Waferhalter, Steuerungssoftware und Anlagenanforderungen unterscheiden. Diese Komponenten sollten vor Angebotserstellung an der verfügbaren Maschine identifiziert werden.
Wichtige Prüfpunkte sind die Wolframlampen, Reflektoren, Quarzkammer, Thermoelement oder Pyrometer, Wafer-Hebe- und Rotationskomponenten, Kühlsystem, Gasventile, Sicherheitsverriegelungen, Steuerung, Rezepturen und der aktuelle Einschaltzustand.

Kontaktieren Sie unser Team, um die aktuelle Verfügbarkeit des gebrauchten AG Associates Heatpulse 8108 zu prüfen. Bitte geben Sie Ihre Wafergröße, das Substratmaterial, den gewünschten Glüh- oder Oxidationsprozess, die erforderliche Atmosphäre, das Zielland und den Installationsplan an.
Kontaktieren Sie uns für aktuelle Fotos, Informationen zur Temperaturregelung, zum Zustand der Kammer, zum Inspektionsstatus und ein Angebot.
Die Heatpulse 8108 Plattform unterstützt Substrate bis zu 200 mm. Der installierte Waferhalter muss dem erforderlichen Durchmesser entsprechen.
Bei der RTP-Methode wird ein einzelner Wafer in einem kurzen Prozesszyklus schnell erhitzt, während ein herkömmlicher Diffusionsofen normalerweise eine Charge von Wafern über einen längeren thermischen Zyklus erhitzt.
Zu den veröffentlichten Anwendungen gehören Glühen, Dotierstoffaktivierung, Oxidation, kontrollierte Diffusion, Reflow und Silizidbildung.
Nein. Verfügbare Systeme können ein Thermoelement, ein Pyrometer oder eine prozessspezifische Sensorkonfiguration verwenden. Der installierte Sensor sollte vor der Geräteauswahl bestätigt werden.