THUIS > Producten > Front-End Wafer Fab-apparatuur > Lithografiemachine >

ASML XT 1250i lithografiemachine

De ASML XT 1250i is een 8-inch (200 mm) wafer KrF diep ultraviolet (DUV) step-and-scan lithografiesysteem dat is gelanceerd door het Nederlandse bedrijf ASML.

ASML XT 1250i lithography machine APPARATUURAFBEELDING
Configuratiebeoordeling Model en geïnstalleerde opties
Nieuwe / gebruikte voorraad Afhankelijk van de beschikbaarheid van het project.
Wereldwijde levering Beoordeling op basis van de bestemming
Technische offerteaanvraag Pakket- en procesafstemming
11De ASML XT 1250i is een 8-inch (200 mm) KrF deep-ultraviolet (DUV) step-and-scan lithografiesysteem, gelanceerd door het Nederlandse bedrijf ASML. Het is specifiek ontworpen voor volwassen en middelgrote volumeproductieprocessen met processen van 180 nm tot 120 nm. Als opvolger van de eerdere PAS-serie neemt het een zeer belangrijke positie in op de tweedehandsmarkt voor 8-inch apparatuur.

Hieronder volgt een uitgebreide en diepgaande analyse van dit model:

1. Kerntechnische specificaties

Lichtbronsysteem: Maakt gebruik van een KrF (kryptonfluoride) excimerlaser met een golflengte van 248 nm (doorgaans geleverd door Cymer of Light Machines); in tegenstelling tot kwiklampen biedt dit systeem een ​​hoge energieconcentratie.

Optische prestaties: Het projectieobjectief heeft een numerieke apertuur (NA) van ongeveer 0,75–0,80, waarmee een maximale resolutie van 120 nm wordt bereikt. De belichtingsveldgrootte is 26 mm x 33 mm, wat beter is dan bij i-line modellen.

Productie-efficiëntie: De doorvoer varieert van 80 tot 100 wafers per uur (WPH), afhankelijk van de specifieke proceslaag.

2. Technologische generatie en systeemvoordelen (vergeleken met de oudere PAS-serie)

XT-platformupgrade: Vergeleken met de oudere PAS 5500-serie biedt de XT 1250i een aanzienlijk verbeterde positioneringsstijfheid en acceleratie. Dankzij geavanceerde laserinterferometerbesturing zijn de positioneringsreactietijden sneller.

Uitlijnsysteem: Uitgerust met ASML's beproefde ATHENA-technologie (Advanced THrough-the-Lens Enhanced Alignment), handhaaft het systeem een ​​stabiele overlaynauwkeurigheid binnen ±25 nm. Het biedt een hoge tolerantie voor variaties in waferoppervlakmaterialen, waardoor het bijzonder geschikt is voor complexe processen die meerlaagse overlay vereisen.

Verlichtingsmodi: Ondersteunt conventionele, ringvormige en off-axis verlichting (OAI), waardoor de scherptediepte effectief wordt geoptimaliseerd om rekening te houden met de topografie van het waferoppervlak. Essentiële "controle van drie punten" voor de aanschaf: Voordat u het contract ondertekent, moet u het volgende opvragen en controleren: (1) Gegevens over de bedrijfsuren en het gasverbruik van de laser (als de laserholte ernstig in efficiëntie achteruitgaat, bedragen de vervangingskosten ongeveer een derde van de prijs van de gehele machine); (2) Rapport over de transmissie en golffrontinspectie van de projectieobjectieflens (beschadigde lenscoatings kunnen niet worden gerepareerd; de gehele lensbehuizing moet worden vervangen); en (3) Gegevens over de lineariteitscompensatie van de laserinterferometer (die de positioneringsnauwkeurigheid van het platform bepalen).

Het koelsysteem is cruciaal: slechte warmteafvoer in de lasereenheid of het waterkoelsysteem (chiller) veroorzaakt direct schommelingen in de laserenergie en leidt tot storingen in de frequentiemodusvergrendeling (met als gevolg "Laser Timeout"-alarmen). Meld in dergelijke gevallen niet direct een moederbordfout; reinig in plaats daarvan eerst het filter van het koelsysteem en vervang de koelvloeistof.