Sistema RTP Heatpulse 8108 di AG Associates
Il sistema AG Associates Heatpulse 8108 è un sistema di elaborazione termica rapida per wafer singoli, utilizzato per processi di semiconduttori ad alta temperatura, brevi e controllati. La documentazione disponibile identifica il sistema per wafer da 150 mm e 200 mm.
La piattaforma Heatpulse riscalda rapidamente un wafer con matrici di lampade al tungsteno e controlla la temperatura di processo tramite un circuito chiuso basato su termocoppie o pirometri. Il raffreddamento rapido limita il budget termico totale rispetto ai cicli più lunghi dei forni convenzionali.
Specifiche principali di AG Heatpulse 8108
| Produttore | AG Associates |
|---|---|
| Famiglia di prodotti | Impulso di calore |
| Modello | 8108 |
| Tipo di apparecchiatura | Sistema di elaborazione termica rapida a singolo wafer |
| Dimensioni dei wafer supportate | Fino a 200 mm; l'elenco disponibile identifica wafer da 150 mm e 200 mm |
| Metodo di riscaldamento | Gruppi di lampade al tungsteno superiori e inferiori |
| Misurazione della temperatura | Termocoppia o pirometro, a seconda della configurazione installata |
| Controllo della temperatura | Controllo della temperatura di processo a circuito chiuso |
| Metodo di raffreddamento | Raffreddamento dello scambiatore di calore a parete fredda nella piattaforma pubblicata |
| Applicazioni di processi pubblicati | Ricottura, diffusione controllata, ossidazione, attivazione e formazione di siliciuri |
| Atmosfera di processo | Dipende dal pannello del gas installato, dalla camera e dalle opzioni |
| Condizione | Usato apparecchiature per semiconduttori |
| Disponibilità | Salvo disponibilità a magazzino, ispezione e conferma della configurazione. |
Caratteristiche principali dell'apparecchiatura
Elaborazione termica rapida su singolo wafer
Supporto pubblicato per substrati fino a 200 mm
Riscaldamento rapido delle pastiglie con lampada al tungsteno
Controllo della temperatura a circuito chiuso tramite termocoppia o pirometro.
Design a parete fredda per un rapido raffreddamento post-processo
Adatto per la ricerca, la produzione pilota e i processi di produzione compatibili
Applicazioni tipiche
Il sistema Heatpulse 8108 può essere utilizzato per la ricottura post-impianto, l'attivazione di dopanti, la diffusione controllata, l'ossidazione termica rapida, la formazione di siliciuri o salicidi, la rifusione e altri processi termici di breve durata.
La compatibilità del processo dipende dal materiale del wafer, dal quarzo della camera, dal sensore di temperatura, dalle condizioni della lampada, dall'erogazione del gas, dal monitoraggio dell'ossigeno e dal set di ricette disponibile. Il processo richiesto deve essere verificato in base alla configurazione della macchina installata.
Configurazione e ispezione delle apparecchiature usate
I sistemi Heatpulse 8108 possono differire per sensore di temperatura, pannello gas, opzione di monitoraggio dell'ossigeno, porta wafer, software di controllo e requisiti dell'impianto. Questi componenti devono essere identificati sulla macchina disponibile prima di richiedere un preventivo.
I punti di ispezione importanti includono le lampade al tungsteno, i riflettori, la camera al quarzo, la termocoppia o il pirometro, i componenti di sollevamento e rotazione del wafer, il sistema di raffreddamento, le valvole del gas, i dispositivi di sicurezza, il controller, le ricette e lo stato di alimentazione corrente.
Richiesta di informazioni su AG Heatpulse 8108
Contatta il nostro team per verificare la disponibilità attuale del sistema AG Associates Heatpulse 8108 usato. Ti preghiamo di fornire le dimensioni del wafer, il materiale del substrato, il processo di ricottura o ossidazione desiderato, l'atmosfera richiesta, il paese di destinazione e il programma di installazione.
Contattateci per ricevere foto aggiornate, informazioni sulla configurazione del controllo della temperatura, sullo stato della camera, sullo stato delle ispezioni e per un preventivo.
Domande frequenti
Quali sono le dimensioni dei wafer che la Heatpulse 8108 è in grado di elaborare?
La piattaforma Heatpulse 8108 supporta substrati fino a 200 mm. Il supporto per wafer installato deve corrispondere al diametro richiesto.
Qual è la differenza tra un forno RTP e un forno a lotti?
Il processo RTP riscalda rapidamente un singolo wafer per un ciclo di processo breve, mentre un forno a diffusione convenzionale riscalda normalmente un lotto di wafer in un ciclo termico più lungo.
Quali processi può eseguire Heatpulse 8108?
Tra le applicazioni pubblicate figurano la ricottura, l'attivazione dei droganti, l'ossidazione, la diffusione controllata, la rifusione e la formazione di siliciuri.
Tutti i modelli 8108 utilizzano lo stesso sensore di temperatura?
No. I sistemi disponibili possono utilizzare una termocoppia, un pirometro o una configurazione di rilevamento specifica per il processo. Il sensore installato deve essere verificato prima di selezionare l'apparecchiatura.
