TRANG CHỦ > Các sản phẩm > Thiết bị sản xuất wafer đầu cuối > Thiết bị lắng đọng màng mỏng >

Hệ thống ALD plasma SAMCO AD-230LP

Sử dụng hệ thống ALD plasma khóa tải SAMCO AD-230LP để lắng đọng màng mỏng AlN, SiN, AlOx và SiO2 đồng nhất trên cấu trúc bán dẫn và MEMS.

SAMCO AD-230LP Plasma ALD System HÌNH ẢNH THIẾT BỊ
Đánh giá cấu hình Mẫu mã và các tùy chọn đã cài đặt
Nguồn cung mới/đã qua sử dụng Tùy thuộc vào tình trạng sẵn có của dự án
Giao hàng toàn cầu Đánh giá dựa trên điểm đến
Yêu cầu báo giá kỹ thuật (Technical RFQ) Phù hợp gói hàng và quy trình

SAMCO AD-230LP là hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử tăng cường plasma có buồng nạp, được phát triển để tạo màng mỏng chính xác và đồng nhất. Nó luân phiên đưa khí tiền chất và khí phản ứng vào sao cho sự phát triển của màng được kiểm soát bởi các phản ứng bề mặt tự giới hạn.

Hệ thống này kết hợp điều khiển màng ở cấp độ nguyên tử với nguồn plasma ghép nối điện dung. Các quy trình đã được công bố điển hình bao gồm màng nitrit như AlN và SiN, cũng như màng oxit nhiệt độ thấp bao gồm AlOx và SiO2. Cấu hình tiền chất thực tế, điều kiện nguồn plasma và các công thức có sẵn phải được xác nhận cho từng máy cụ thể được sử dụng.

SAMCO AD-230LP plasma ALD system

Thông số kỹ thuật chính của SAMCO AD-230LP

Nhà sản xuấtSAMCO
Người mẫuAD-230LP
Loại thiết bịHệ thống lắng đọng lớp nguyên tử tăng cường plasma buồng nạp
Công nghệ lắng đọnglắng đọng lớp nguyên tử tăng cường plasma
Phương pháp huyết tươngPlasma ghép nối điện dung trong thiết kế nền tảng đã công bố
Nạp waferBuồng khóa tải
Tài liệu phim đã xuất bảnAlN, SiN, AlOx và SiO2
Kiểm soát phimKiểm soát độ dày ở cấp độ lớp nguyên tử thông qua các phản ứng bề mặt tuần tự.
Ứng dụng chínhMàng cách điện, màng thụ động hóa và lớp phủ bảo vệ cấu trúc ba chiều.
Tình trạngĐã sử dụng thiết bị bán dẫn
Tính khả dụngTùy thuộc vào tình trạng hàng tồn kho hiện tại, việc kiểm tra và xác nhận cấu hình.

Các tính năng chính của thiết bị

  • Thiết kế buồng nạp giúp tránh việc thường xuyên mở buồng xử lý ra môi trường bên ngoài.

  • Kiểm soát độ dày màng ở cấp độ lớp nguyên tử

  • Lớp phủ phù hợp trên các cấu trúc có tỷ lệ chiều cao trên chiều rộng lớn

  • Plasma ghép nối điện dung cho quá trình xử lý ALD hỗ trợ plasma

  • Luồng khí được tối ưu hóa và thiết kế buồng nhỏ gọn giúp rút ngắn chu kỳ làm sạch.

  • Thích hợp cho việc phát triển màng mỏng oxit và nitrua.

Ứng dụng điển hình

AD-230LP có thể được sử dụng để tạo các lớp cách điện cổng, màng thụ động hóa thiết bị, lớp phủ quang học hoặc laser và màng phủ phù hợp trên MEMS và các cấu trúc ba chiều khác. Các ví dụ vật liệu đã được công bố bao gồm AlN, SiN, AlOx và SiO2.

Khả năng tương thích thực tế phụ thuộc vào hệ thống cung cấp tiền chất đã lắp đặt, nguồn plasma, vật liệu buồng, giá đỡ chất nền, phạm vi nhiệt độ xử lý và các công thức có sẵn. Khả năng tương thích vật liệu đã công bố không nên được coi là bằng chứng cho thấy máy móc đang sử dụng có bao gồm phần cứng tiền chất cần thiết.

Cấu hình và kiểm tra thiết bị đã qua sử dụng

Trước khi báo giá, khách hàng cần xác nhận số sê-ri máy, tình trạng buồng xử lý, hoạt động của khóa tải, máy phát plasma, các linh kiện phù hợp, đường dẫn tiền chất, dải MFC, van, bơm chân không, giá đỡ chất nền và phần mềm điều khiển.

Cần xem xét lại chính xác các vật liệu màng đã được xử lý trước đó trong buồng vì lịch sử hoạt động của buồng và sự nhiễm bẩn tiền chất có thể ảnh hưởng đến việc hệ thống có phù hợp với quy trình ALD mới hay không.

Yêu cầu thông tin về SAMCO AD-230LP

Vui lòng liên hệ với nhóm của chúng tôi để kiểm tra tình trạng sẵn có của máy SAMCO AD-230LP đã qua sử dụng. Vui lòng cung cấp kích thước chất nền, màng mục tiêu, yêu cầu về tiền chất, phạm vi độ dày dự kiến, quốc gia đích và lịch trình lắp đặt.

Vui lòng liên hệ với chúng tôi để xem ảnh máy móc hiện tại, cấu hình tiền chất đã lắp đặt, lịch sử buồng đốt, tình trạng kiểm tra và báo giá.

Câu hỏi thường gặp

AD-230LP là hệ thống ALD nhiệt hay plasma?

AD-230LP là một hệ thống ALD tăng cường plasma. Nền tảng được công bố sử dụng plasma ghép nối điện dung để hỗ trợ các phản ứng bề mặt có sự trợ giúp của plasma.

Máy AD-230LP có thể chứa những loại phim nào?

Các ứng dụng đã được công bố bao gồm AlN, SiN, AlOx và SiO2. Máy móc hiện có phải có các đường dẫn tiền chất, khí phản ứng và công thức đạt tiêu chuẩn phù hợp cho màng phim yêu cầu.

Tại sao hệ thống lại sử dụng buồng khóa tải?

Cơ chế khóa nạp cho phép chuyển chất nền mà không cần mở buồng xử lý trực tiếp ra môi trường bên ngoài, hỗ trợ điều kiện lắng đọng sạch hơn và ổn định hơn.

Liệu AD-230LP có thể phủ lên các cấu trúc ba chiều không?

ALD thích hợp cho việc phủ lớp bảo vệ lên các cấu trúc có tỷ lệ chiều cao trên chiều rộng lớn và cấu trúc ba chiều. Độ phủ thực tế phụ thuộc vào thành phần hóa học của vật liệu, điều kiện xử lý và hình dạng của chi tiết.