SAMCO AD-230LP 是一款用於精確、保形薄膜製備的裝載鎖定式等離子體增強原子層沉積系統。它交替引入前驅體氣體和反應氣體，從而透過自限製表面反應來控制薄膜生長。
該系統將原子級薄膜控制與電容耦合等離子體源結合。已發表的典型製程包括氮化物薄膜（如AlN和SiN）以及低溫氧化物薄膜（如AlOx和SiO2）。實際的前驅體配置、等離子體源條件和可用製程配方必須針對具體使用的設備進行確認。
SAMCO AD-230LP 主要規格
| 製造商 | SAMCO |
|---|---|
| 模型 | AD-230LP |
| 設備類型 | 裝載鎖定等離子體增強原子層沉積系統 |
| 沉積技術 | 等離子體增強原子層沉積 |
| 血漿法 | 已發表平台設計中的電容耦合等離子體 |
| 晶圓裝載 | 裝彈鎖定室 |
| 已出版的電影資料 | AlN、SiN、AlOx 和 SiO2 |
| 薄膜控制 | 透過順序表面反應實現原子層級厚度控制 |
| 主要應用 | 三維結構的絕緣膜、鈍化膜和保形塗層 |
| 狀態 | 用過的 半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、檢驗和配置確認情況而定 |
主要設備特性
採用裝載鎖定設計，避免頻繁地將製程腔室與大氣連結。
原子層級薄膜厚度控制
在高縱橫比結構上進行保形沉積
用於等離子體輔助原子層沉積製程的電容耦合等離子體
優化的氣體流量和緊湊的腔室設計，可縮短吹掃週期
適用於氧化物和氮化物薄膜的開發
典型應用
AD-230LP可用於在MEMS和其他三維結構上形成柵極絕緣層、裝置鈍化膜、光學或雷射端面塗層以及保形膜。已發表的材料實例包括AlN、SiN、AlOx和SiO2。
實際相容性取決於已安裝的前驅體輸送系統、等離子體源、腔室材料、基片托架、製程溫度範圍和可用配方。已公佈的材料適用範圍不應被視為現有二手設備包含所需前驅體硬體的證明。
二手設備配置和檢驗
報價前，客戶應確認機器序號、製程腔狀況、裝載鎖定操作、等離子產生器、配套組件、前驅體管路、MFC範圍、閥門、真空幫浦、基片支架和控制軟體。
還應審查先前在腔室中處理過的確切薄膜材料，因為腔室歷史和前驅體污染可能會影響系統是否適合新的 ALD 製程。
索取 SAMCO AD-230LP 信息
請聯絡我們的團隊查詢二手 SAMCO AD-230LP 的目前庫存狀況。請提供您的基材尺寸、目標薄膜、前驅體需求、預期厚度範圍、目的地國家/地區以及安裝計畫。
請聯絡我們以取得目前機器照片、已安裝的前置組件配置、腔室歷史記錄、檢驗狀態和報價。
常見問題解答
AD-230LP是熱式還是等離子式原子層沉積系統？
AD-230LP 是一款等離子體增強型原子層沉積 (ALD) 系統。此平台採用電容耦合等離子體來支援等離子體輔助表面反應。
AD-230LP 可以沉積哪些類型的底片？
已發表的應用包括 AlN、SiN、AlOx 和 SiO2。現有設備必須具備製備所需薄膜所需的正確前驅體生產線、反應氣體和合格配方。
為什麼該系統使用裝填鎖定室？
裝載鎖允許在不將製程腔室直接打開到大氣中的情況下轉移基板，從而支援更乾淨、更可重複的沉積條件。
AD-230LP 能否對三維結構進行塗覆？
原子層沉積（ALD）適用於高縱橫比和三維結構的保形塗覆。實際覆蓋率取決於材料的化學性質、製程條件和零件的幾何形狀。
